[实用新型]一种高容量谐振电容有效
申请号: | 201621119204.8 | 申请日: | 2016-10-13 |
公开(公告)号: | CN206076050U | 公开(公告)日: | 2017-04-05 |
发明(设计)人: | 谢志懋;王琦 | 申请(专利权)人: | 佛山市欣源电子股份有限公司 |
主分类号: | H01G4/224 | 分类号: | H01G4/224 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 528000 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种高容量谐振电容,包括芯子、外壳、连接板、铝箔、光膜和单层膜,所述芯子安装在外壳内部并且芯子的上端和底端均设置有焊接部位,连接板焊接在芯子上端和底端的焊接部位,铝箔、光膜和单层膜均安装在芯子内部,铝箔的数量为两条并且铝箔位于芯子内部的最上端,单层膜设置在铝箔的下端并且光膜位于铝箔和单层膜之间。该产品设计合理,结构简单,体积小,重量轻,故障率低,使用安全性和运行稳定性好;该产品容量大,高频损耗小,抗机械强度高,性价比高,能够在高压、高频率、超高频感应加热电源、高频焊机、高频发射电源、通信电源、各种电磁设备等高频大电流的场合下应用,使用效果好。 | ||
搜索关键词: | 一种 容量 谐振 电容 | ||
【主权项】:
一种高容量谐振电容,其特征在于,包括芯子、外壳、连接板、铝箔、光膜和单层膜,所述芯子安装在外壳内部并且芯子的上端和底端均设置有焊接部位,连接板焊接在芯子上端和底端的焊接部位,铝箔、光膜和单层膜均安装在芯子内部,铝箔的数量为两条并且铝箔位于芯子内部的最上端,单层膜设置在铝箔的下端并且光膜位于铝箔和单层膜之间。
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