[实用新型]一种高阈值电压高迁移率凹槽栅MOSFET结构有效
| 申请号： | 201621096991.9 | 申请日： | 2016-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN206441733U | 公开（公告）日： | 2017-08-25 |
| 发明（设计）人： | 李柳暗;刘扬 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司44102 | 代理人： | 陈卫 |
| 地址： | 510275 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及半导体外延工艺的技术领域，更具体地，涉及一种高阈值电压高迁移率凹槽栅MOSFET结构。一种高阈值电压高迁移率凹槽栅MOSFET结构，其中，包括在衬底上生长的应力缓冲层；在应力缓冲层上生长的GaN外延层；在GaN外延层上生长的一层低铝组分AlGaN势垒层；在低铝组分AlGaN势垒层上沉积的一层GaN刻蚀终止层；在GaN刻蚀终止层上生长的一层高铝组分AlGaN势垒层；去除栅极区域的高铝组分AlGaN势垒层；沉积p型氧化物栅极；在源极和漏极区域蒸镀上源极和漏极欧姆接触金属；在凹槽栅极区域蒸镀金属与p型氧化物形成欧姆接触。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 阈值 电压 迁移率 凹槽 mosfet 结构 | ||
【主权项】：
一种高阈值电压高迁移率凹槽栅MOSFET结构，其特征在于，包括在衬底（1）上生长的应力缓冲层（2）；在应力缓冲层上生长的GaN外延层（3）；在GaN外延层（3）上生长的一层低铝组分AlGaN势垒层（4）；在低铝组分AlGaN势垒层（4）上沉积的一层GaN刻蚀终止层（5）；在GaN刻蚀终止层（5）上生长的一层高铝组分AlGaN势垒层（6）；去除栅极区域的高铝组分AlGaN势垒层（6）；沉积p型氧化物栅极（7）；在源极和漏极区域蒸镀上源极和漏极欧姆接触金属（8）；在凹槽栅极区域蒸镀金属（9）与p型氧化物形成欧姆接触。
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