[实用新型]一种纳米SiO2气凝胶的制备装置有效
| 申请号: | 201621088852.1 | 申请日: | 2016-09-29 |
| 公开(公告)号: | CN206172992U | 公开(公告)日: | 2017-05-17 |
| 发明(设计)人: | 窦志勇;李露;何泽;李向阳 | 申请(专利权)人: | 成都真火科技有限公司 |
| 主分类号: | C01B33/16 | 分类号: | C01B33/16 |
| 代理公司: | 成都天嘉专利事务所(普通合伙)51211 | 代理人: | 冉鹏程 |
| 地址: | 610016 四*** | 国省代码: | 四川;51 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 本实用新型公开了一种纳米SiO2气凝胶的制备装置,包括依次连接的层流等离子体发生装置、汽化装置、冷凝装置和静电吸附成型装置,所述层流等离子体发生装置,包括依次连接的气路结构、发生器(1)和电弧通道结构(2);所述气路结构包括依次连接的气体输入管(3)、气体混合腔(4)和气体输出管(5);所述气体输出管(5)与所述发生器(1)的中心轴线重合。本实用新型实现了专用于等离子束蒸‑凝法制备纳米SiO2气凝胶的目的,使得采用等离子束蒸‑凝法制备纳米SiO2气凝胶能够连续化生产,一步到位。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 纳米 sio2 凝胶 制备 装置 | ||
【主权项】:
一种纳米SiO2气凝胶的制备装置,其特征在于:包括依次连接的层流等离子体发生装置、汽化装置、冷凝装置(9)和静电吸附成型装置;所述层流等离子体发生装置,包括依次连接的气路结构、发生器(1)和电弧通道结构(2);所述气路结构包括依次连接的气体输入管(3)、气体混合腔(4)和气体输出管(5);所述气体输出管(5)与所述发生器(1)的中心轴线重合;所述发生器(1)包括阳极结构(6)和阴极结构(7),以及设置在阳极结构(6)底座内部的功率调节器(8);所述阳极结构(6)包括阳极柱、阳极帽以及在阳极帽内依次安装的密封绝缘垫片、螺旋导电弹簧和阳极喷嘴;所述阴极结构(7)包括阴极柱和阴极罩;所述阳极结构(6)位于中心,沿阳极结构(6)周围环形等距离设置至少三个阴极结构(7);所述电弧通道结构(2)为双层结构,内层和双层结构中均充满真空;所述汽化装置包括送粉器和汽化池(13),所述送粉器的送粉管(18)通入汽化池(13);所述层流等离子体发生装置和汽化池(13)连接;送粉器和层流等离子体发生装置位于同一轴心线上;所述汽化池(13)底部设置有具有吸力的通管(14),通管(14)与送粉管(18)连接;所述静电吸附成型装置包括成型箱(24)、基板(25)、粒子输入端(26)、粒子分散机构(27)、高压发生器(31)、静电发生器(32)、基板轨道(28)、基板进端轨道(29)和基板出端轨道(30);所述基板进端轨道(29)、基板轨道(28)和基板出端轨道(30)依次连接,且基板轨道(28)位于成型箱(24)内部;所述基板(25)位于基板轨道(28)上,所述粒子分散机构(27)与基板(25)相对设置,所述粒子输入端(26)与粒子分散机构(27)连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于成都真火科技有限公司,未经成都真火科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201621088852.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种制备纳米SiO2气凝胶的装置
- 下一篇:纳米SiO2气凝胶的制备装置
- 纳米SiO2复合玻璃棉隔板
- 一种在SiC材料上生长SiO<sub>2</sub>钝化层的方法
- 张应力 LPCVD SiO<sub>2</sub>膜的制造方法
- 一种SiO<sub>2</sub>减反射薄膜及其制备方法
- CVD SiC/SiO<sub>2</sub>梯度抗氧化复合涂层及其制备方法
- 通过由蒸汽相沉积和借助液体硅氧烷原料制造合成石英玻璃的方法
- 一种用于SiO<sub>2</sub>陶瓷及SiO<sub>2</sub>陶瓷基复合材料连接的钎料及其制备方法
- 荧光SiO2胶体试剂的制备方法及使用荧光SiO2胶体试剂的试纸
- 一种SiO2/GQDs–DNA–Au NPs纳米复合材料及其制备方法和应用
- 色彩可调的光子晶体装饰涂层及其制备方法





