[实用新型]一种逆变器的过压保护装置有效
| 申请号: | 201621088731.7 | 申请日: | 2016-09-27 |
| 公开(公告)号: | CN206259848U | 公开(公告)日: | 2017-06-16 |
| 发明(设计)人: | 张绍荣;张军迪;张国宁;郑伟;赖永健;陈思达;钟家汉 | 申请(专利权)人: | 桂林航天工业学院 |
| 主分类号: | H02M1/34 | 分类号: | H02M1/34 |
| 代理公司: | 桂林市持衡专利商标事务所有限公司45107 | 代理人: | 苏家达 |
| 地址: | 541004 广西*** | 国省代码: | 广西;45 |
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| 摘要: | 本实用新型提供的一种逆变器的过压保护装置,为每相电路设置过压保护单元,各过压保护单元并联连接,且电路结构相同,在每个过压保护单元设置结构对应的上桥臂电路和下桥臂电路,上下桥臂电路均设置相应的缓冲电容,用于吸收过压;当过压超出缓冲电容的吸收能力时,还可通过电阻放电,增大过压的吸收能力;在外部直流电源的正负母线之间并联蓄能电容器,各缓冲电容吸收的电能量释放到蓄能电容器中,用于为逆变器提供输入电压,有效利用过压的电能量为逆变器工作,并钳制MOSFET器件的漏源电压在正常范围内,既能有效利用过压,又能有效消除过压。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 逆变器 保护装置 | ||
【主权项】:
逆变器的过压保护装置,其特征在于:包括至少一个过压保护单元,各过压保护单元并联连接,且结构相同;所述过压保护单元包括两个MOSFET、四个电阻、两个电容以及四个二极管,分别为第一MOSFET、第二MOSFET、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第一电容、第二电容、第一二极管、第二二极管、第三二极管以及第四二极管;所述第一MOSFET、第一电阻、第二电阻、第一电容、第一二极管、第二二极管组成上桥臂电路;在上桥臂电路中,所述第一电阻并联在第一MOSFET的漏极和源极之间,所述第一电容和第一二极管串联之后并联在第一MOSFET的漏极和源极之间,所述第一二极管的阳极经第二电阻与第二二极管的阴极相连,所述第二二极管的阳极接地,所述第一二极管的阴极与第一MOSFET的源极相连,第一MOSFET的源极与第二MOSFET的漏极相连,第一MOSFET的漏极接外部直流电源;所述第二MOSFET、第三电阻、第四电阻、第二电容、第三二极管和第四二极管组成下桥臂电路;在下桥臂电路中,所述第三电阻并联在第二MOSFET的漏极和源极之间,所述第三二极管和第二电容串联之后并联在第二MOSFET的漏极和源极之间,所述第二MOSFET的源极接地,所述第三二极管的阳极与第二MOSFET的漏极相连,所述第三二极管的阴极经第四电阻与第四二极管的阳极相连,所述第四二极管的阴极与第一MOSFET的漏极相连。
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H02 发电、变电或配电
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备;直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换;以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路,例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备,例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备;直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换;以及它们的控制或调节
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