[实用新型]三分段驱动器以及驱动电路

摘要

本实用新型涉及电子电路技术领域，公开了一种三分段驱动器以及驱动电路。本实用新型中驱动电路包括非交叠单元用于产生死区；第一三分段驱动器用于驱动高压开关管；第二三分段驱动器用于驱动高压续流管；在第一三分段驱动器的电源电压至高压开关管的开启电压VTH之间，采用强驱动，驱动高压开关管从线性区导通状态进入饱和区导通状态；在VTH至亚阈值电压VTH‑之间，采用弱驱动，减缓高压开关管中电流的变化率；在VTH‑至第一三分段驱动器的最低电势之间采用强驱动驱动高压开关管完全截止；第二三分段驱动器与第一三分段驱动器的工作方式相似。这样可在兼顾过电压和EMC指标的同时，提高开关速度和减小死区时间，显著提升开关电源的效率。

主权项

一种三分段驱动器，其特征在于，用于驱动开关电源的高压MOS管；所述三分段驱动器包括：第一P沟道MOS管(MP11)、第二P沟道MOS管(MP12)、第三P沟道MOS管(MP13)、第一N沟道MOS管(MN11)、第二N沟道MOS管(MN12)、第三N沟道MOS管(MN13)与第四N沟道MOS管(MN14)；所述第一P沟道MOS管(MP11)的源极连接于电源端，栅极连接于所述三分段驱动器的第一控制端，漏极与所述第二P沟道MOS管(MP12)的源极连接，所述第二P沟道MOS管(MP12)的漏极连接于所述三分段驱动器的驱动端，栅极连接于所述三分段驱动器的第二控制端；所述第三P沟道MOS管(MP13)的源极连接于所述电源端，栅极连接于所述第二控制端，漏极连接于所述驱动端；所述第二N沟道MOS管(MN12)的漏极连接于所述驱动端，栅极连接于所述第二控制端，源极连接于所述第一N沟道MOS管(MN11)的漏极；所述第一N沟道MOS管(MN11)的栅极为所述三分段驱动器的第三控制端，源极连接于所述三分段驱动器的最低电势点；所述第三N沟道MOS管(MN13)的漏极连接于所述第二N沟道MOS管(MN12)的源极，栅极为所述三分段驱动器的第四控制端，源极连接于所述最低电势点；所述第四N沟道MOS管(MN14)的漏极连接于所述驱动端，栅极连接于所述第二控制端，源极连接于所述最低电势点。