[实用新型]一种基于硅锗合金制备径向结电池

摘要

本实用新型提供一种基于硅锗合金制备径向结电池，包括上电极组件、N型导电板、硅纳米线层、P型导电板、背电极、ITO薄膜、硅锗合金薄膜、硅纳米线以及AZO导电薄膜，上电极组件下端安装有N型导电板，P型导电板下端安装有背电极，N型导电板通过硅纳米线层与P型导电板相连接，ITO薄膜下端设有硅锗合金薄膜，硅锗合金薄膜内部安装着硅纳米线，硅纳米线下端装配在AZO导电薄膜上端面上，ITO薄膜安装在N型导电板下端面上，AZO导电薄膜装配在P型导电板上端面上，本实用新型使用方便，增强对光的吸收，降低材料消耗，拓宽光谱响应，稳定性高。

主权项

一种基于硅锗合金制备径向结电池，包括上电极组件、N型导电板、硅纳米线层、P型导电板以及背电极，其特征在于：所述上电极组件下端安装有N型导电板，所述N型导电板下端装配着硅纳米线层，所述硅纳米线层下端设有P型导电板，所述P型导电板下端安装有背电极，所述N型导电板通过硅纳米线层与P型导电板相连接；所述硅纳米线层由ITO薄膜、硅锗合金薄膜、硅纳米线以及AZO导电薄膜组成，所述ITO薄膜下端设有硅锗合金薄膜，所述硅锗合金薄膜内部安装着硅纳米线，所述硅纳米线下端装配在AZO导电薄膜上端面上，所述ITO薄膜安装在N型导电板下端面上，所述AZO导电薄膜装配在P型导电板上端面上。