[实用新型]多栅分布的沟槽栅超结MOSFET器件有效
| 申请号： | 201621076733.4 | 申请日： | 2016-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN206059398U | 公开（公告）日： | 2017-03-29 |
| 发明（设计）人： | 白玉明;章秀芝;张海涛 | 申请（专利权）人： | 无锡同方微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L29/06 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙)32104 | 代理人： | 曹祖良,刘海 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市新区菱*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种多栅分布的沟槽栅超结MOSFET器件，包括元胞结构，其特征是单个元胞包括N+衬底，在N+衬底的正面生长N－外延层，在N－外延层的正面沉积源极金属，形成MOSFET器件的源极；在所述N－外延层两侧形成由N－外延层正面向背面延伸的P柱深槽结构；在所述N－外延层的上部中间形成两个或两个以上的沟槽栅结构；在所述N－外延层上部相邻两个沟槽栅结构之间、以及沟槽栅结构和P柱深槽结构之间形成P+体区，在P+体区的顶部形成N+源区，N+源区位于沟槽栅结构的顶部两侧。本实用新型采用具有两条或两条以上的沟槽栅结构，能够在超结功率器件开启时增加导通电流通路，相当于并联了导通电阻，从而降低器件的导通电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 分布 沟槽 栅超结 mosfet 器件 | ||
【主权项】：
一种多栅分布的沟槽栅超结MOSFET器件，包括元胞结构，其特征是：单个元胞包括N+衬底（1），在N+衬底（1）的正面生长N－外延层（2），在N－外延层（2）的正面沉积源极金属（8），形成MOSFET器件的源极；在所述N－外延层（2）两侧形成由N－外延层（2）正面向背面延伸的P柱深槽结构（3）；在所述N－外延层（2）的上部中间形成两个或两个以上的沟槽栅结构；在所述N－外延层（2）上部相邻两个沟槽栅结构之间、以及沟槽栅结构和P柱深槽结构（3）之间形成P+体区（6），在P+体区（6）的顶部形成N+源区（7），N+源区位于沟槽栅结构的顶部两侧。
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