[实用新型]一种增强型GaAsmHEMT器件有效
| 申请号： | 201621071695.3 | 申请日： | 2016-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN205984998U | 公开（公告）日： | 2017-02-22 |
| 发明（设计）人： | 黎明 | 申请（专利权）人： | 成都海威华芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/15;H01L29/20 |
| 代理公司： | 成都华风专利事务所(普通合伙)51223 | 代理人： | 徐丰 |
| 地址： | 610029 四川省成都市*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种增强型GaAs mHEMT器件，包括由下至上依次形成的衬底、第一GaAs缓冲层、AlGaAs/GaAs多量子阱缓冲层、第二GaAs缓冲层、第三GaAs缓冲层、第一InP缓冲层、第二InP缓冲层、沟道层、空间隔离层、Delta‑doping平面掺杂层、势垒层及帽层。本实用新型本申请省去了常规生长二次外延或者凹栅槽结构对器件的损伤，有效的改善了增强型器件的可靠性，可在极端环境下正常工作，且工艺较为简单；采用周期性生长的多量子阱结构形成缓冲层，用来对缓冲层的应力进行调节，避免晶格弛豫，有效缓解衬底缺陷向沟道的扩散；本申请衬底由硅构成，该结构有利于大幅度降低本道题器件的成本，并且可与常规Si基CMOS器件无缝契合，实现大规模化应用的射频与数字的集成。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 增强 gaasmhemt 器件 | ||
【主权项】：
一种增强型GaAs mHEMT器件，其特征在于，包括由下至上依次形成的衬底、第一GaAs缓冲层、AlGaAs/GaAs多量子阱缓冲层、第二GaAs缓冲层、第三GaAs缓冲层、第一InP缓冲层、第二InP缓冲层、沟道层、空间隔离层、Delta‑doping平面掺杂层、势垒层及帽层；所述帽层上形成有源极、栅极及漏极，所述栅极位于源极和漏极之间。
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