[实用新型]一种基于可见光二次激发的高显指白光量子点LED有效

专利信息
申请号: 201621067535.1 申请日: 2016-09-21
公开(公告)号: CN206059438U 公开(公告)日: 2017-03-29
发明(设计)人: 张万路;杨武;梅时良;朱嘉弢;陈秋行;贺良杰;郭睿倩;许妍 申请(专利权)人: 复旦大学
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50
代理公司: 上海正旦专利代理有限公司31200 代理人: 陆飞,陆尤
地址: 200433 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 实用新型属于半导体照明技术领域,具体为一种基于可见光二次激发的高显指白光LED。本实用新型LED的基本结构为在高导热陶瓷基片上,依次为紫外LED芯片、C量子点发光薄膜、发绿光的CdTe/ZnS量子点发光薄膜、发红光的CdTe/ZnS量子点发光薄膜;配光透镜为半球形,将整个芯片罩在配光透镜内。它以紫外LED为激发光源,通过调节三层量子点薄膜的厚度,来实现高光效,高显色指数的白光量子点LED。与传统发光模式不同的是,它不是用紫外光源直接激发三种发光层,而是用紫外激发C量子点产生蓝光,然后用蓝光激发CdTe/ZnS量子点产生绿光和红光,从而实现高显色指数的白光。这种LED采用可见光激发,可以减少紫外光的泄露,并且选用材料绿色无毒,且成本低廉。
搜索关键词: 一种 基于 可见光 二次 激发 高显指 白光 量子 led
【主权项】:
一种基于可见光二次激发的高显指白光量子点LED,其特征在于,基本结构为:在高导热陶瓷基片上,依次为紫外LED芯片、C量子点发光薄膜、发绿光的CdTe/ZnS量子点发光薄膜、发红光的CdTe/ZnS量子点发光薄膜;在高导热陶瓷基片上、紫外LED芯片区域外是蒸镀的银质反射膜,紫外LED芯片的电极与高导热陶瓷基片的焊盘由金线连接;配光透镜为半球形,其底部通过固定支架9与高导热陶瓷基片固定连接,并将整个芯片罩在配光透镜内。
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