[实用新型]具有纳米量子点层的发光二极管有效
| 申请号： | 201621063988.7 | 申请日： | 2016-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN206040683U | 公开（公告）日： | 2017-03-22 |
| 发明（设计）人： | 蓝永凌;林兓兓;张家宏 | 申请（专利权）人： | 安徽三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04;H01L33/14 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 241000 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型属于半导体领域，公开了一种具有纳米量子点层的发光二极管，其至少包括一衬底，以及依次层叠于所述衬底之上的缓冲层、N型层、发光层和P型层，其特征在于所述发光二极管还包括位于所述P型层之上的由纳米尺寸的量子点组成的纳米量子点层。纳米量子点相当于对P型层进行纳米尺寸的微型粗化处理，更进一步地，量子点采用高掺杂Mg和高组分In的InGaN或InN生长而成，由于高掺杂Mg和高组分In的存在，使得量子点的接触电阻降低，进一步使电流均匀分散，接触电压降低。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 纳米 量子 发光二极管 | ||
【主权项】：
具有纳米量子点层的发光二极管，至少包括一衬底，以及依次层叠于所述衬底之上的缓冲层、N型层、发光层和P型层，其特征在于：所述发光二极管还包括位于所述P型层之上的由纳米尺寸的量子点组成的纳米量子点层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于安徽三安光电有限公司，未经安徽三安光电有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201621063988.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种贴片二极管打扁裁切机
- 下一篇：一种ITO薄膜结构的LED芯片
