[实用新型]一种DFN060388排双芯高密度引线框架有效
申请号: | 201621004025.X | 申请日: | 2016-08-31 |
公开(公告)号: | CN206179858U | 公开(公告)日: | 2017-05-17 |
发明(设计)人: | 罗天秀;樊增勇;李东;崔金忠;许兵;任伟;刘剑 | 申请(专利权)人: | 成都先进功率半导体股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/495 | 分类号: | H01L23/495 |
代理公司: | 四川力久律师事务所51221 | 代理人: | 王芸;熊晓果 |
地址: | 611731 *** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型涉及一种半导体制造技术,具体涉及一种DFN0603 88排双芯高密度引线框架,包括用于承装芯片的矩形的框架,所述框架上设有多个芯片安装单元,所述芯片安装单元与DFN0603的封装结构相适应,在该框架上设有与其短边平行的分区槽,将框架均分为两个芯片安装区域。该引线框架将分区槽由3条变为1条,即将框架均分为两个芯片安装区域,且在每个芯片安装区域中布置与DFN0603封装结构相适应的芯片安装单元,节约出更多用于布置芯片安装单元的框架面积,提高材料利用率、节约生产成本。 | ||
搜索关键词: | 一种 dfn060388 排双芯 高密度 引线 框架 | ||
【主权项】:
一种DFN0603 88排双芯高密度引线框架,包括用于承装芯片的矩形的框架,所述框架上设有多个芯片安装单元,其特征在于,所述芯片安装单元与DFN0603的封装结构相适应,在该框架上设有与其短边平行的分区槽,将框架均分为两个芯片安装区域, 在框架的边框和芯片安装区域之间还设有多个切割定位槽,包括横向切割定位槽和竖向切割定位槽,所述框架的边框上还预留有型号打印区。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于成都先进功率半导体股份有限公司,未经成都先进功率半导体股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201621004025.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种高密度芯片重布线封装结构
- 下一篇:一种新型DIP8封装结构