[实用新型]一种用于SiCIGBT外延工艺表面处理的腔体有效
| 申请号： | 201620885816.1 | 申请日： | 2016-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN205881883U | 公开（公告）日： | 2017-01-11 |
| 发明（设计）人： | 申请（专利权）人： | ||
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L29/739;H01L29/16 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种用于SiC IGBT外延工艺表面处理的腔体，它是在传统的等离子刻蚀腔体上方引入了可高温加热的卤钨灯管模块，在腔体的下电极下方引入了红外温度探头。在SiC IGBT器件外延制作过程中，在该腔体内先对衬底表面进行等离子刻蚀和高温退火处理，然后腔体维持真空状态进行外延生长。在外延生长前对衬底表面利用等离子刻蚀和高温退火的方法进行处理，可以获得清洁、平整、抗氧化能力强的衬底表面，并且可以改善衬底的晶体缺陷，消除晶体内的应力。在此种衬底表面上可以生长出高质量的外延层，对SiC IGBT器件产品的良率和整体性能起到了改善和提高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 sicigbt 外延 工艺 表面 处理 | ||
【主权项】：
一种用于SiC IGBT外延工艺表面处理的腔体，包括等离子刻蚀腔体，其特征在于: 所述等离子刻蚀腔体的上方设置用于高温加热的卤钨灯管模块，所述等离子刻蚀腔体内下电极的下方的设置红外温度探头。
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