[实用新型]半导体装置有效
| 申请号： | 201620857856.5 | 申请日： | 2016-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN206040641U | 公开（公告）日： | 2017-03-22 |
| 发明（设计）人： | 麦可·凯利;大卫·海纳;罗纳·休莫勒;罗杰·圣艾曼德 | 申请（专利权）人： | 艾马克科技公司 |
| 主分类号： | H01L25/065 | 分类号： | H01L25/065;H01L23/538;H01L23/31 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司11243 | 代理人： | 许静,安利霞 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本实用新型是关于一种半导体装置，其包括重新分布结构，其包括第一重新分布层，其包括第一介电层，其包括第一介电材料；以及第一导电的线路；以及第二重新分布层，其包括第二介电层，其包括不同于所述第一介电材料的第二介电材料；以及第二导电的线路，其电耦接至所述第一导电的线路；第一半导体晶粒，其附接至所述第一重新分布层；第二半导体晶粒，其附接至所述第一重新分布层；以及导电的互连结构，其附接至所述第二重新分布层。作为非限制性的例子，此实用新型内容的各种特点是提供各种的半导体封装结构，其是包括一薄的细微间距的重新分布结构，其可以减少成本、增进可靠度、及/或增进该半导体装置的可制造性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，包括：重新分布结构，其包括：第一重新分布层，其包括：第一介电层，其包括第一介电材料；以及第一导电的线路；以及第二重新分布层，其包括：第二介电层，其包括不同于所述第一介电材料的第二介电材料；以及第二导电的线路，其电耦接至所述第一导电的线路；第一半导体晶粒，其附接至所述第一重新分布层；第二半导体晶粒，其附接至所述第一重新分布层；以及导电的互连结构，其附接至所述第二重新分布层。
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