[实用新型]半导体器件高压绝缘检测装置有效

专利信息
申请号: 201620818584.8 申请日: 2016-07-29
公开(公告)号: CN205910296U 公开(公告)日: 2017-01-25
发明(设计)人: 陈伟;徐勇;叶建国;韩宙;程华胜;魏春阳 申请(专利权)人: 江阴亨德拉科技有限公司
主分类号: G01R31/12 分类号: G01R31/12;G01R31/26
代理公司: 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙)32104 代理人: 曹祖良,刘海
地址: 214432 江苏省无*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 实用新型涉及一种半导体器件高压绝缘检测装置,包括底板,其特征是在所述底板上安装绝缘检测轨道、上检测装置和下检测装置,绝缘检测轨道上方设置绝缘流道盖板,绝缘检测轨道上设有测试平面,测试平面的侧面安装陶瓷片。所述上检测装置包括下压气缸,下压气缸的活塞杆上连接下压连接件,下压连接件连接下压连接轴,下压连接轴下端连接下压固定件,下压固定件下部连接导向轴,导向轴的下端连接下压固定块,下压固定块通过连接片与下压块连接,在下压块下部安装上电极。所述下检测装置包括检测气缸,检测气缸的活塞杆上连接电极连接块,电极连接块上部设置下电极。本实用新型可以检测出漏电的半导体器件,提高半导体器件的使用效率。
搜索关键词: 半导体器件 高压 绝缘 检测 装置
【主权项】:
一种半导体器件高压绝缘检测装置,包括底板(22),其特征是:在所述底板(22)上安装绝缘检测轨道(21)、上检测装置和下检测装置,绝缘检测轨道(21)上方设置绝缘流道盖板(19),绝缘检测轨道(21)上设有测试平面,测试平面处放置料(20),测试平面的侧面安装陶瓷片(29)。
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