[实用新型]电源芯片中MOSFET的测试电路有效
| 申请号： | 201620750310.X | 申请日： | 2016-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN206057437U | 公开（公告）日： | 2017-03-29 |
| 发明（设计）人： | 潘雷 | 申请（专利权）人： | 深圳市立能威微电子有限公司 |
| 主分类号： | G01R27/02 | 分类号： | G01R27/02 |
| 代理公司： | 深圳市明日今典知识产权代理事务所(普通合伙)44343 | 代理人： | 王杰辉 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型揭示了一种电源芯片中MOSFET的测试电路，包括有被测MOSFET开关Q1和起到调制作用的PWM发生器，PWM发生器接在所述MOSFET开关Q1的G端，还包括有辅助电路，所述辅助电路包括有肖特基二极管D1、稳压二极管D2、P‑MOSFET开关Q2和电阻R，所述被测MOSFET开关Q1的D端接肖特基二极管D1的正极和P‑MOSFET开关Q2的D端，肖特基二极管D1的负极接稳压二极管D2的负极和电阻R的一端，电阻R的另一端和稳压二极管D2的正极接地，P‑MOSFET开关Q2的G端接地。本实用新型的有益效果是使用电源芯片中PWM发生器，来测试电源芯片中测试电路芯片MOSFET开关RDSON参数，简单，可以测试出被测MOSFET开关的RDSON参数，判断被测MOSFET的功耗情况。 | ||
| 搜索关键词： | 电源 芯片 mosfet 测试 电路 | ||
【主权项】：
一种电源芯片中MOSFET的测试电路，包括有被测MOSFET开关Q1和起到调制作用的PWM发生器，PWM发生器接在所述MOSFET开关Q1的G端，其特征在于，还包括有辅助电路，所述辅助电路包括有肖特基二极管D1、稳压二极管D2、P‑MOSFET开关Q2和电阻R，所述被测MOSFET开关Q1的D端接肖特基二极管D1的正极和P‑MOSFET开关Q2的D端，肖特基二极管D1的负极接稳压二极管D2的负极和电阻R的一端，电阻R的另一端和稳压二极管D2的正极接地，P‑MOSFET开关Q2的G端接地。
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