[实用新型]一种用于MOCVD反应室的清洁系统有效
| 申请号： | 201620728845.7 | 申请日： | 2016-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN205821448U | 公开（公告）日： | 2016-12-21 |
| 发明（设计）人： | 冯钊俊;方聪;靳恺;刘向平;张露;王雷 | 申请（专利权）人： | 中山德华芯片技术有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/44 | 分类号： | C23C16/44;C30B25/02 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司44245 | 代理人： | 梁莹 |
| 地址： | 528437 广东省中山*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种用于MOCVD反应室的清洁系统，包括具有温度控制功能的气体管路、具有温度控制功能的过滤装置、具有温度控制功能的冷阱；其中，所述MOCVD反应室的出口连接至气体管路的入口，所述气体管路的出口连接至过滤装置，所述冷阱设置在过滤装置的下游，且在该冷阱下游还连接有一个节流阀和真空泵，通过所述节流阀使压力在反应室可调节，同时为了能够调整低于大气压下的特定压力范围，所述真空泵位于节流阀后面；清洁时，主要将含有氯化物或卤化物的气体通入MOCVD反应室内部以对沉积物进行原位去除。采用该清洁系统无需打开MOCVD反应腔室，可重复性好、清洁效率高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 mocvd 反应 清洁 系统 | ||
【主权项】：
一种用于MOCVD反应室的清洁系统，其特征在于：包括具有温度控制功能的气体管路、具有温度控制功能的过滤装置、具有温度控制功能的冷阱；其中，所述MOCVD反应室的出口连接至气体管路的入口，所述气体管路的出口连接至过滤装置，所述冷阱设置在过滤装置的下游，且在该冷阱下游还连接有一个节流阀和真空泵，通过所述节流阀使压力在反应室可调节，同时为了能够调整低于大气压下的特定压力范围，所述真空泵位于节流阀后面；清洁时，主要将含有氯化物或卤化物的气体通入MOCVD反应室内部以对沉积物进行原位去除。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
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C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
