[实用新型]半导体芯片的钝化膜结构及电路板有效
| 申请号： | 201620696004.2 | 申请日： | 2016-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN205752146U | 公开（公告）日： | 2016-11-30 |
| 发明（设计）人： | 艾亮东;廖瑞忠;陈丽军;胡利娟;温姣姣 | 申请（专利权）人： | 北京思众电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人： | 郭俊霞 |
| 地址： | 100000 北京市大兴区*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种半导体芯片的钝化膜结构及电路板，其中，在该结构中，芯片的正面、背面和侧面分别设有钝化膜，钝化膜包括第一钝化层、第二钝化层和第三钝化层，其中，第一钝化层分别设置在芯片的正面、背面和侧面，第二钝化层和第三钝化层依次设置在第一钝化层上。本实用新型提供的半导体芯片的钝化膜结构，第一钝化层设在芯片的正面、背面和侧面，在第一钝化层上一次设置第二钝化层和第三钝化层，第二钝化层位于第一钝化层和第三钝化层之间，多层的设置，使芯片的各个面的钝化效果更好，避免了芯片与外界氛围的直接接触和杂质原子对芯片的吸附，有利于阻挡外部应力对芯片的损伤，进而减小芯片各个面的漏电现象，提高了芯片的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 芯片 钝化 膜结构 电路板 | ||
【主权项】：
一种半导体芯片的钝化膜结构，其特征在于，芯片的正面、背面和侧面分别设置有钝化膜，所述钝化膜包括第一钝化层、第二钝化层和第三钝化层，其中，所述第一钝化层分别设置在所述芯片的正面、背面和侧面，所述第二钝化层和所述第三钝化层依次设置在所述第一钝化层上。
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