[实用新型]一种LED倒装芯片有效
| 申请号： | 201620677028.3 | 申请日： | 2016-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN205752223U | 公开（公告）日： | 2016-11-30 |
| 发明（设计）人： | 蒋振宇;陈顺利;莫庆伟 | 申请（专利权）人： | 大连德豪光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/44;H01L33/64;H01L33/00 |
| 代理公司： | 广东朗乾律师事务所 44291 | 代理人： | 杨焕军 |
| 地址： | 116100 辽宁省大*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 一种LED倒装芯片，该LED倒装芯片包括：衬底、形成于所述衬底上的外延层、形成于所述外延层上的反射层，所述反射层上形成有石墨烯阻挡层，N引线电极形成于贯穿所述石墨烯阻挡层、反射层、P型氮化镓层、发光层、直至N型氮化镓层表面的N电极孔内；所述外延层的外露表面、石墨烯阻挡层的外露表面、衬底的外露上表面及N电极孔与N引线电极之间的间隙形成有绝缘层，所述绝缘层上形成有相互绝缘的N焊盘与P焊盘，所述N焊盘与N引线电极形成导电连接，所述P焊盘与石墨烯阻挡层形成导电连接。本实用新型通过石墨烯阻挡层不仅能有效地阻止反射层的金属材料迁移，而且可以提升芯片的发光效率和亮度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 led 倒装 芯片 | ||
【主权项】：
一种LED倒装芯片，包括：衬底、形成于所述衬底上的外延层、形成于所述外延层上的反射层，所述外延层包括P型氮化镓层、发光层及N型氮化镓层，其特征在于：所述反射层上形成有石墨烯阻挡层，N引线电极形成于贯穿所述石墨烯阻挡层、反射层、P型氮化镓层、发光层、直至N型氮化镓层表面的N电极孔内；所述外延层的外露表面、石墨烯阻挡层的外露表面、衬底的外露上表面及N电极孔与N引线电极之间的间隙形成有绝缘层，所述绝缘层上形成有相互绝缘的N焊盘与P焊盘，所述N焊盘与N引线电极形成导电连接，所述P焊盘与石墨烯阻挡层形成导电连接。
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