[实用新型]一种碳化硅静电感应晶闸管

摘要

本实用新型公开了一种碳化硅静电感应晶闸管，目的在于，降低器件开态电阻、提升功率特性，结构所采用的技术方案为包括自下而上依次设置的N型欧姆接触电极、N型SiC衬底、P型SiC缓冲层、P型SiC漂移层和P型电流增强层，P型电流增强层上刻蚀形成有若干个台阶，相邻台阶之间设有沟槽，所述台阶顶部设置有P型SiC欧姆接触层，P型SiC欧姆接触层的上部设置有P型欧姆接触电极，P型欧姆接触电极的形状与P型SiC欧姆接触层相同，所述沟槽内设置有肖特基电极，肖特基电极与台阶侧面和沟槽底部均接触，所述N型欧姆接触电极和P型欧姆接触电极均包括依次沉积的Ni层和Pt层，所述肖特基电极包括依次沉积的Ni层、Cr层和Au层，或者Ti层、Cr层和Au层，或者Pt层、Cr层和Au层。

主权项

一种碳化硅静电感应晶闸管，其特征在于，包括自下而上依次设置的N型欧姆接触电极(7)、N型SiC衬底(1)、P型SiC缓冲层(2)、P型SiC漂移层(3)和P型电流增强层(4)，P型电流增强层(4)上刻蚀形成有若干个台阶，相邻台阶之间设有沟槽，所述台阶顶部设置有P型SiC欧姆接触层(5)，P型SiC欧姆接触层(5)的上部设置有P型欧姆接触电极(6)，所述沟槽内设置有肖特基电极(8)，肖特基电极(8)与台阶侧面和沟槽底部均接触，所述P型SiC漂移层(3)的厚度为材料中空穴扩散长度的0.4～0.9倍，所述P型电流增强层(4)位于沟槽底部的P型电流增强层(4)的厚度为0.5～2μm，所述P型SiC缓冲层(2)的厚度为0.5～2.0μm，所述台阶高度为1.5～3.5μm，台阶宽度为cm的1.0～2.0倍，所述P型欧姆接触层(5)的厚度为0.2～0.5μm，所述P型欧姆接触电极(6)的形状与P型SiC欧姆接触层(5)相同，所述N型欧姆接触电极(7)和P型欧姆接触电极(6)均包括依次沉积的Ni层和Pt层，所述肖特基电极(8)包括依次沉积的Ni层、Cr层和Au层，或者Ti层、Cr层和Au层，或者Pt层、Cr层和Au层，所述P型欧姆接触电极(6)的Ni层厚度为200nm～400nm，Pt层的厚度为50nm～200nm；N型欧姆接触电极(7)的Ni层厚度为200nm～400nm，Pt层厚度为50nm～200nm；肖特基电极(8)的Ni层、Ti层或Pt层的厚度为50～200nm，Cr层厚度为50～100nm，Au层厚度为50～500nm。