[实用新型]一种低温沉积磁控溅射镀膜装置有效
| 申请号： | 201620666812.4 | 申请日： | 2016-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN205821446U | 公开（公告）日： | 2016-12-21 |
| 发明（设计）人： | 朱文廓;朱刚劲;朱刚毅 | 申请（专利权）人： | 广东腾胜真空技术工程有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/56 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司44245 | 代理人： | 谢静娜;裘晖 |
| 地址： | 526060 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开一种低温沉积磁控溅射镀膜装置，包括磁控靶和辅助电极，磁控靶设于基材的一侧或两侧，磁控靶的一侧或两侧设置辅助电极。其方法是在基材一侧设置磁控靶，在磁控靶外侧设置辅助电极，磁控靶对基材进行溅射镀膜时，通过辅助电极实施正偏压，利用异性相吸的原理，将溅射过程中产生的电子吸附到辅助电极表面，减少电子对基材表面的轰击，降低基材的温升，从而实现长时间的低温沉积。本实用新型可克服电子轰击对基材表面温升的影响，防止不耐温材料沉积过程中出现起皱折、拉伸、变形等缺陷，从而提高产品质量，由于可长时间进行低温沉积膜层，不仅能提高生产效率，镀膜设备中也可省去冷却机构的设置，降低生产成本，加强市场竞争力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 低温 沉积 磁控溅射 镀膜 装置 | ||
【主权项】：
一种低温沉积磁控溅射镀膜装置，其特征在于，包括磁控靶和辅助电极，磁控靶设于基材的一侧或两侧，磁控靶的一侧或两侧设置辅助电极。
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