[实用新型]一种硅高频低噪声晶体三极管有效
申请号: | 201620612787.1 | 申请日: | 2016-06-21 |
公开(公告)号: | CN205752177U | 公开(公告)日: | 2016-11-30 |
发明(设计)人: | 詹创发 | 申请(专利权)人: | 深圳市快星半导体电子有限公司 |
主分类号: | H01L29/06 | 分类号: | H01L29/06;H01L23/13;H01L23/40 |
代理公司: | 北京鼎佳达知识产权代理事务所(普通合伙) 11348 | 代理人: | 侯蔚寰 |
地址: | 518000 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种硅高频低噪声晶体三极管,包括底座,底座的上表面固定安装有管帽,管帽内安装有三极管芯片,三极管芯片的侧边引出三个电极,左边为基极,中间为发射极,右边为集电极,电极上均焊接有引脚,引脚从管帽内伸出至底座的外边沿,底座上对应引脚的位置开设有引脚凹槽;三极管芯片与底座之间连接有焊接片,焊接片上表面涂覆有导电层;底座的底端还开设有安装孔,安装孔通过螺丝固定有散热片;三极管芯片内部分为基区、发射区和集电区,底座和管帽均采用铝合金制成,底座的边缘安装有卡扣,管帽通过卡扣连接在底座上。本实用新型结构简单,噪声低功耗小,且散热性能好,能够实现高频工作。 | ||
搜索关键词: | 一种 高频 噪声 晶体三极管 | ||
【主权项】:
一种硅高频低噪声晶体三极管,包括底座(1),所述底座(1)的上表面固定安装有管帽(2),所述管帽(2)内安装有三极管芯片(3),其特征在于:所述三极管芯片(3)的侧边引出三个电极,左边为基极(4),中间为发射极(5),右边为集电极(6),电极上均焊接有引脚(7),引脚(7)从管帽(2)内伸出至底座(1)的外边沿,所述底座(1)上对应引脚(7)的位置开设有引脚凹槽(8);所述三极管芯片(3)与底座(1)之间连接有焊接片(9),焊接片(9)上表面涂覆有导电层(10);所述底座(1)的底端还开设有安装孔(11),安装孔(11)通过螺丝固定有散热片(12);所述三极管芯片(3)内部分为基区(13)、发射区(14)和集电区(15),所述基区(13)位于芯片中间,发射区(14)紧贴基区(13)上表面,集电区(15)紧贴基区(13)下表面。
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