[实用新型]一种超宽带高性能单刀双掷开关芯片

摘要

本实用新型属于电子通信技术领域，尤其涉及一种超宽带高性能单刀双掷开关芯片。本实用新型所要解决的技术问题是提供一种用以满足在超宽带应用场景下能保持高性能的超宽带高性能单刀双掷开关芯片，包括第一P型MOS管Q1、第二P型MOS管Q2、第三P型MOS管Q3、第四P型MOS管Q4、第一接地GND、第二接地GND、射频输入IN、第一射频输出OUT1、第二射频输出OUT2、第一逻辑控制电平VC1、第二逻辑控制电平VC2。本实用新型增加快速清零结构，让开关速度显著减小，提高系统效率。

主权项

一种超宽带高性能单刀双掷开关芯片，其特征在于，包括第一P型MOS管Q1、第二P型MOS管Q2、第三P型MOS管Q3、第四P型MOS管Q4、第一接地GND、第二接地GND、射频输入IN、第一射频输出OUT1、第二射频输出OUT2、第一逻辑控制电平VC1、第二逻辑控制电平VC2；所述第一P型MOS管Q1、第二P型MOS管Q2、第三P型MOS管Q3、第四P型MOS管Q4均具有栅极、漏极、源极，所述第一P型MOS管Q1的源极与第一接地GND连接，所述第一P型MOS管Q1的漏极与第二P型MOS管Q2的漏极连接，所述第二P型MOS管Q2的源极与第三P型MOS管Q3的源极连接，所述第三P型MOS管Q3的漏极与第四P型MOS管Q4的漏极连接，所述第四P型MOS管Q4的源极与第二接地GND连接；所述第一P型MOS管Q1、第三P型MOS管Q3的栅极分别与第一逻辑控制电平VC1连接，所述第二P型MOS管Q2、第四P型MOS管Q4的栅极分别与第二逻辑控制电平VC2连接；所述射频输入IN连接在第二P型MOS管Q2的源极与第三P型MOS管Q3的源极之间，所述第一射频输出OUT1连接在第一P型MOS管Q1的漏极与第二P型MOS管Q2的漏极之间，所述第二射频输出OUT2连接在第三P型MOS管Q3的漏极与第四P型MOS管Q4的漏极之间。