[实用新型]一种硅基异质集成的P型沟道HFET器件外延结构有效
| 申请号： | 201620589614.2 | 申请日： | 2016-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN205920973U | 公开（公告）日： | 2017-02-01 |
| 发明（设计）人： | 黎明 | 申请（专利权）人： | 成都海威华芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778 |
| 代理公司： | 成都华风专利事务所(普通合伙)51223 | 代理人： | 徐丰,胡川 |
| 地址： | 610029 四川省成都市*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及了一种硅基异质集成的P型沟道HFET器件外延结构，所述外延结构从下至上依次为衬底、低温成核层、缓冲层、G沟道层、隔离层、势垒层、帽层，所述沟道层与势垒层之间形成二维空穴气，提升迁移率，所述沟道层与势垒层之间插入隔离层。本实用新型的硅衬底的P型HFET可与常规CMOS高速逻辑电路器件工艺兼容P沟道HFET器件可以与n沟道HFET器件构成III‑V CMOS结构，极大的拓宽器件在数字电路领域的应用；高迁移率P沟道HFET器件可通过化合物半导体材料提供高载流子速度与高驱动电流的III‑V族晶体管通道；P沟道HFET器件有效的改善晶体管等比例缩小过程中带来短沟道效应并降低功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅基异质 集成 沟道 hfet 器件 外延 结构 | ||
【主权项】：
一种硅基异质集成的P型沟道HFET器件外延结构，其特征在于：外延结构从下至上依次为衬底、低温GaAs成核层、GaAs缓冲层、GaAs沟道层、AlGaAs隔离层、AlGaAs势垒层、GaAs帽层，所述GaAs沟道层与AlGaAs势垒层之间形成二维空穴气，所述GaAs沟道层与AlGaAs势垒层之间插入AlGaAs隔离层。
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