[实用新型]半导体检测结构有效

专利信息
申请号: 201620538541.4 申请日: 2016-06-03
公开(公告)号: CN205984977U 公开(公告)日: 2017-02-22
发明(设计)人: 廖育德;蔡甦谷 申请(专利权)人: 深圳宜特检测技术有限公司
主分类号: H01L23/544 分类号: H01L23/544
代理公司: 深圳市诺正联合知识产权代理有限公司44368 代理人: 李永华,张广兴
地址: 518000 广东省深圳市*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 实用新型提供的一种半导体检测结构,包括具有多层半导体材料的基材;设置在所述基材内的多个电极;从所述基材表面延伸至至少一个所述电极的接触孔;填充在所述接触孔内的导电桥墩;所述导电桥墩与所述电极电导通,其材料为导电材料。本实用新型首先确认需要检测的电极位置,并通过在基材表面开挖一个到该电极位置的接触孔内填充导电材料形成导电桥墩,从而将该电极的电信号通过导电桥墩引出至外部检测设备,该结构克服了半导体检测时电极信号难引出的问题,减小了半导体的研发周期,相对极大的降低了成本。
搜索关键词: 半导体 检测 结构
【主权项】:
一种半导体检测结构,其特征在于,包括:基材,具有多层半导体材料;多个电极,设置在所述基材内;接触孔,从所述基材表面延伸至至少一个所述电极;导电桥墩,填充在所述接触孔内,与所述电极电导通;所述导电桥墩的材料为导电材料。
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