[实用新型]一种带有甲酸注入系统的真空共晶炉有效
申请号: | 201620528366.0 | 申请日: | 2016-06-02 |
公开(公告)号: | CN205789889U | 公开(公告)日: | 2016-12-07 |
发明(设计)人: | 张延忠;赵永先 | 申请(专利权)人: | 北京中科同志科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 100031 北京市朝*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种带有甲酸注入系统的真空共晶炉,包括真空共晶炉本体和一套甲酸注入系统,甲酸注入系统包括进气通道、出气通道以及连接在进气通道和出气通道之间的储液装置。储液装置包括石英杯、防护罩、上盖、底座、上盖密封垫、减震垫、高液位检测开关和低液位检测开关。石英杯卡持在上盖和底座之间,防护罩围绕在石英杯的圆周方向上,上盖上设有进液口,上盖上出气通道的入口高于进气通道的出口。嵌套方式固定的石英杯连接紧固、组装方便、注液灵活,通过向真空共晶炉本体的内腔中注入甲酸气体,有效提高了芯片焊接的质量和焊接稳定性,满足了现代芯片焊接的需要。 | ||
搜索关键词: | 一种 带有 甲酸 注入 系统 真空 共晶炉 | ||
【主权项】:
一种带有甲酸注入系统的真空共晶炉,包括真空共晶炉本体,其特征在于,还包括一套甲酸注入系统,所述甲酸注入系统包括进气通道、出气通道以及连接在进气通道和出气通道之间的储液装置;所述进气通道上按进气方向顺序设有流量计、进气耐腐蚀阀、调压阀、安全阀和进气单向阀,进气通道的出口与储液装置连通;所述出气通道上按出气方向顺序设有出气单向阀和出气耐腐蚀阀,出气通道的出口与真空共晶炉本体的内腔连通,出气通道的入口与储液装置连通,储液装置内出气通道的入口高于进气通道的出口。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造