[实用新型]一种势垒层组分渐变的InAlN/GaN HEMT器件有效
| 申请号： | 201620479048.X | 申请日： | 2016-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN205666237U | 公开（公告）日： | 2016-10-26 |
| 发明（设计）人： | 任舰;顾晓峰;闫大为 | 申请（专利权）人： | 江南大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/20;H01L29/201;H01L29/207;H01L29/778 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 214122 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种势垒层组分渐变的InAlN/GaN HEMT器件。该器件包括衬底材料上依次形成的GaN成核层，GaN缓冲层，AlN插入层，In组分渐变InAlN势垒层，GaN帽层，SiN钝化层以及其上形成的栅极、源极和漏极，其特征是底层In0.17Al0.83N势垒与GaN材料形成晶格匹配，通过逐层增加In组分，增加极化效应产生的二维电子气浓度，提高器件的饱和电流和输出功率。本实用新型在减少异质界面形成线性位错和抑制逆压电效应的同时，有效提高了InAlN/GaN HEMT器件的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 势垒层 组分 渐变 inaln gan hemt 器件 | ||
【主权项】：
一种势垒层组分渐变的InAlN/GaN HEMT器件，其特征在于：该器件包括衬底材料上依次形成的GaN成核层，GaN缓冲层，AlN插入层，In组分渐变InAlN势垒层，GaN帽层，钝化层以及其上形成的栅极、源极和漏极，底层势垒In组分为0.17，实现与GaN的晶格匹配，其余势垒层In组分逐渐增加，顶层组分不超过0.32。
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