[实用新型]电子设备、图像传感器以及图像传感器系统有效
| 申请号： | 201620468989.3 | 申请日： | 2016-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN205984986U | 公开（公告）日： | 2017-02-22 |
| 发明（设计）人： | O·斯考尔卡;S·卡比尔 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人： | 申发振 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种电子设备、图像传感器以及图像传感器系统。在本实用新型的一个实施例中，提供具有图像传感器像素阵列的电子设备，其特征在于，所述电子设备包括光敏元件，所述光敏元件形成在具有相对的第一表面和第二表面的半导体衬底中；导电触点，所述导电触点形成在所述半导体衬底的所述第一表面中；导电层，所述导电层形成在所述导电触点上方；滤色器阵列，所述滤色器阵列形成在所述半导体衬底的所述第一表面上；微镜头阵列，所述微镜头阵列形成在所述滤色器阵列上方；以及接地触点，所述接地触点形成在所述半导体衬底的所述第二表面上。本实用新型用于图像传感器领域。本实用新型的一个技术效果是提供改善的电荷收集效率和电隔离效果。 | ||
| 搜索关键词： | 电子设备 图像传感器 以及 系统 | ||
【主权项】：
一种具有图像传感器像素阵列的电子设备，其特征在于，所述电子设备包括：光敏元件，所述光敏元件形成在具有相对的第一表面和第二表面的半导体衬底中；导电触点，所述导电触点形成在所述半导体衬底的所述第一表面中；导电层，所述导电层形成在所述导电触点上方；滤色器阵列，所述滤色器阵列形成在所述半导体衬底的所述第一表面上；微镜头阵列，所述微镜头阵列形成在所述滤色器阵列上方；以及接地触点，所述接地触点形成在所述半导体衬底的所述第二表面上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
