[实用新型]一种三氯氢硅合成装置

摘要

本实用新型公开了一种三氯氢硅合成装置，包括反应装置，所述反应装置的上方安装有清水储备槽，所述反应装置的内部设置有保温装置，且保温装置与清水储备槽通过导管连接所述智能控制闭水阀的下方安装有三氯氢硅储备装置，所述三氯氢硅储备装置内部的左右两侧设置有三氯氢硅浓度感应器，所述三氯氢硅储备装置的底部设置有出料口，本实用新型，可以控制反应装置内的温度，使其保持均衡，装置的左侧设置有氯气缓存装置，且其上安装有控制面板，可以精确的控制氯气的通入量，从而很好的控制三氯氢硅的生成量，大大增大了精确度。

主权项

一种三氯氢硅合成装置，包括反应装置（10），其特征在于：所述反应装置（10）的上方安装有清水储备槽（1），所述反应装置（10）的内部设置有保温装置（2），且保温装置（2）与清水储备槽（1）通过导管连接，所述保温装置（2）的内部安装有加热装置（5），所述反应装置（10）的左侧安装有氯气缓存装置（3）,所述氯气缓存装置（3）的上设置有控制面板（4），所述反应装置（10）的右侧安装有硅粉储备装置（13），所述硅粉储备装置(13)的上方安装有密封盖（11），所述密封盖（11）与硅粉储备装置(13)通过铰链（12）转动连接，所述硅粉储备装置(13)的左侧安装有吸尘器（14），所述吸尘器（14）的左侧安装有粉尘输送管道（15），所述粉尘输送管道（15）的内部设置有双向风扇（16），所述粉尘输送管道（15）的下方安装有喷孔式连接转动管（17），所述喷孔式连接转动管（17）的下方设置有转动控制器（18），所述转动控制器（18）的内部安装有双向风扇（16），所述反应装置（10）的底部安装有三氯氢硅吸收沉淀装置（6），三氯氢硅吸收沉淀装置（6）上设置有三氯氢硅吸附装置（20），所述三氯氢硅吸收沉淀装置（6）的下方安装有智能控制闭水阀（7），所述智能控制闭水阀（7）的下方安装有三氯氢硅储备装置（8），所述三氯氢硅储备装置（8）内部的左右两侧设置有三氯氢硅浓度感应器（19），所述三氯氢硅储备装置（8）的底部设置有出料口（9）。