[实用新型]一种用于晶体硅片的回刻装置有效
| 申请号: | 201620427498.4 | 申请日: | 2016-05-12 |
| 公开(公告)号: | CN205645847U | 公开(公告)日: | 2016-10-12 |
| 发明(设计)人: | 周军;晏文春;党继东 | 申请(专利权)人: | 盐城阿特斯协鑫阳光电力科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
| 代理公司: | 苏州翔远专利代理事务所(普通合伙) 32251 | 代理人: | 陆金星 |
| 地址: | 224431 江苏省盐*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | 本实用新型公开了一种用于晶体硅片的回刻装置,包括回刻槽、HF承载槽和H2O2承载槽,还设有控温槽,所述HF承载槽设于控温槽之内;所述HF承载槽的顶部通过气体导管和H2O2承载槽联通;H2O2承载槽与回刻槽通过管道联通;回刻槽和HF承载槽不联通。本实用新型通过在HF承载槽外围设置控温槽,控制HF的挥发性,再使用压缩干燥空气携带挥发的HF气体进入到H2O2液体中,形成了浓度稳定的回刻液,最终稳定地控制了回刻浓度,可稳定的去除扩散后死层。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 用于 晶体 硅片 装置 | ||
【主权项】:
一种用于晶体硅片的回刻装置,包括回刻槽(1)、HF承载槽(2)和H2O2承载槽(3),其特征在于:还设有控温槽(4),所述HF承载槽设于控温槽之内;所述HF承载槽的顶部通过气体导管(5)和H2O2承载槽联通;H2O2承载槽与回刻槽通过管道(6)联通;回刻槽和HF承载槽不联通。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





