[实用新型]一种铌酸锂或钽酸锂晶片还原黑化处理装置有效
| 申请号： | 201620411549.4 | 申请日： | 2016-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN205662628U | 公开（公告）日： | 2016-10-26 |
| 发明（设计）人： | 龙勇;石自彬;李和新;于明晓 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第二十六研究所 |
| 主分类号： | C30B33/00 | 分类号： | C30B33/00 |
| 代理公司： | 重庆博凯知识产权代理有限公司 50212 | 代理人： | 李海华 |
| 地址： | 400060 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种铌酸锂或钽酸锂晶片还原黑化处理装置，包括盛装容器和晶片安放架，晶片安放架固定在盛装容器内；所述晶片安放架包括两平行且水平悬空设置的第一柱体和第二柱体；第一柱体和第二柱体上均匀设有相对设置的若干平行的晶片插槽，第一柱体和第二柱体上的晶片插槽数量相同且一一对应，第一柱体上任意一个晶片插槽与第二柱体上对应的晶片插槽构成一组用于插放一片晶片，任意组中的两晶片插槽间距小于晶片直径以防止晶片脱落。本装置适用于采用包埋料还原黑化处理，能够解决LN或LT晶片黑化均匀性问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 铌酸锂 钽酸锂 晶片 还原 处理 装置 | ||
【主权项】：
一种铌酸锂或钽酸锂晶片还原黑化处理装置，其特征在于：包括盛装容器和晶片安放架，晶片安放架固定在盛装容器内；所述晶片安放架包括两平行且水平悬空设置的第一柱体和第二柱体；第一柱体和第二柱体上均匀设有相对设置的若干平行的晶片插槽，第一柱体和第二柱体上的晶片插槽数量相同且一一对应，第一柱体上任意一个晶片插槽与第二柱体上对应的晶片插槽构成一组用于插放一片晶片，任意组中的两晶片插槽间距小于晶片直径以防止晶片脱落。
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