[实用新型]一种可移动的SiC生长坩埚平台有效
| 申请号： | 201620384192.5 | 申请日： | 2016-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN205711035U | 公开（公告）日： | 2016-11-23 |
| 发明（设计）人： | 宗艳民 | 申请（专利权）人： | 山东天岳晶体材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 济南舜源专利事务所有限公司 37205 | 代理人： | 苗峻 |
| 地址： | 250118 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本申请涉及SiC生产技术领域，具体为一种可移动的SiC生长坩埚平台。该装置在石墨块的底部设置轨道，在防治石墨块的不锈钢底座顶部设置轨道，使得两处的轨道形成轨道副，所以石墨块可以在不锈钢底座上滑行，这为石墨块的移动极大地节省了人力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 移动 sic 生长 坩埚 平台 | ||
【主权项】：
一种可移动的SiC生长坩埚平台，其特征在于，包括第一石墨平台(1)和第二石墨平台(3)，所述的第一石墨平台(1)和第二石墨平台(3)相对的两侧通过两个弹性锁扣件(2)连接在一起；所述的第一石墨平台(1)和第二石墨平台(3)放置在不锈钢底座(5)上，且不锈钢底座(6)的顶部和石墨块的底部设有导轨(4)。
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