[实用新型]一种量子点超辐射发光二极管

摘要

本实用新型涉及一种量子点超辐射发光二极管，包括：一次外延结构和掩埋异质结结构，一次外延结构包括：沿晶向依次设置的N⁺‑GaAs衬底层(1)、N‑GaAs缓冲层(2)、N‑AlGaAs覆盖层(3)、AlGaAs下限制层(4)、含多层InAs量子点的有源区(5)、AlGaAs上限制层(6)和P‑AlGaAs覆盖层(7)；N‑AlGaAs覆盖层(3)到P‑AlGaAs覆盖层(7)形成沿晶向的脊结构；掩埋异质结结构包括沿晶向依次设置的P‑AlGaAs掩埋层(12)、N‑GaAs掩埋层(13)和P⁺‑GaAs接触层(14)。本实用新型提出的超辐射发光二极管芯片具有高功率、宽光谱输出、低抖动的优点。

主权项

一种量子点超辐射发光二极管，其特征在于，该量子点超辐射发光二极管包括：一次外延结构和掩埋异质结结构，其中，所述一次外延结构包括：沿晶向依次设置的N⁺‑GaAs衬底层(1)、N‑GaAs缓冲层(2)、N‑AlGaAs覆盖层(3)、AlGaAs下限制层(4)、含多层InAs量子点的有源区(5)、AlGaAs上限制层(6)和P‑AlGaAs覆盖层(7)；其中所述有源区(5)包括沿晶向依次设置的第一未掺杂GaAs层、多层InAs量子点和第二未掺杂GaAs层；N‑AlGaAs覆盖层(3)、AlGaAs下限制层(4)、含多层InAs量子点的有源区(5)、AlGaAs上限制层(6)和P‑AlGaAs覆盖层(7)形成沿晶向的脊结构；所述掩埋异质结结构包括在N‑GaAs缓冲层(2)上并沿晶向依次设置的P‑AlGaAs掩埋层(12)、N‑GaAs掩埋层(13)和P⁺‑GaAs接触层(14)，P‑AlGaAs掩埋层(12)和N‑GaAs掩埋层(13)作为电流阻挡层，P‑AlGaAs掩埋层(12)和N‑GaAs掩埋层(13)形成在脊结构的侧壁表面，P⁺‑GaAs接触层(14)形成在N‑GaAs掩埋层(13)和P‑AlGaAs覆盖层(7)的上表面上。