[实用新型]半导体测试结构有效
| 申请号： | 201620354317.X | 申请日： | 2016-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN205581262U | 公开（公告）日： | 2016-09-14 |
| 发明（设计）人： | 吴启熙 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（天津）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26;H01L23/544 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 300385 天津市西青*** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开一种半导体测试结构，所述半导体测试结构包括位于一具有多个有源区的半导体衬底上的第一测试结构和多个第二测试结构，由于第一测试结构与有源区绝缘隔离，多个第二测试结构分别与有源区电连接；第一测试结构同一层的第一测试结构的第一金属互连线和第二测试结构的第二金属互连线交叉排列。应用时，分别向第一测试结构和第二测试结构通电并测试两者之间的电容，确定半导体器件的金属互连线之间是否存在电化学腐蚀，并对腐蚀的程度进行评价，以及时发现电化学腐蚀现象，避免电化学腐蚀所带来的影响，提高了产品的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 测试 结构 | ||
【主权项】：
一种半导体测试结构，用于测试层间介质层中是否存在电化学腐蚀，其特征在于，包括第一测试结构和多个第二测试结构，所述第一测试结构和多个第二测试结构位于一具有多个有源区的半导体衬底上，所述第一测试结构与所述有源区绝缘隔离，所述多个第二测试结构分别与所述有源区电连接；其中，所述第一测试结构包括多层第一金属互连线以及多个第一插塞，所述多层第一金属互连线通过层间介质层相互隔离并通过所述第一插塞电连接；所述第二测试结构包括多层第二金属互连线以及多个第二插塞，所述多层第二金属互连线通过层间介质层相互隔离并通过所述第二插塞电连接；并且，同一层的第一金属互连线和第二金属互连线交叉排列。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（天津）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（天津）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201620354317.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
