[实用新型]一种垂直结构发光二极管

摘要

一种垂直结构发光二极管，涉及发光二极管生产技术领域。在衬底的一侧通过金属键合层连接布拉格反射镜层，在布拉格反射镜层的一侧通过刻蚀的沟槽分别设置至少两个元胞，在沟槽内的金属层与N‑GaN层、量子阱层、P‑GaN层之间分别设置侧向布拉格反射镜层，所述侧向布拉格反射镜层在沟槽内端与上述布拉格反射镜层相连。本实用新型可以有效地提高电流的扩展能力，提高散热能力，增强光效，并在元胞侧壁形成DBR结构，可大大增强侧壁的光反射率，增强光效。

主权项

一种垂直结构发光二极管，在衬底的一侧通过金属键合层连接布拉格反射镜层，在布拉格反射镜层的一侧通过刻蚀的沟槽分别设置至少两个元胞，各元胞分别由金属反射层、ITO层、P‑GaN层、量子阱层和N‑GaN层组成，所述各元胞的金属反射层、ITO层、P‑GaN层、量子阱层和N‑GaN层依次设置在布拉格反射镜层的同一侧；在所述元胞中的一个元胞的N‑GaN层上设置N电极，在所述元胞中的另一个元胞的ITO层上设置P电极；每两个相邻的元胞之间通过中部设置在沟槽内的金属层相互串联，所述金属层的一端连接在该两个相邻的元胞中的一个元胞的ITO层上，所述金属层的另一端连接在该两个相邻的元胞中的另一个元胞的N‑GaN层上，其特征在于：在沟槽内的金属层与N‑GaN层、量子阱层、P‑GaN层之间分别设置侧向布拉格反射镜层，所述侧向布拉格反射镜层在沟槽内端与上述布拉格反射镜层相连。