[实用新型]光伏装置有效
申请号: | 201620328157.1 | 申请日: | 2016-04-19 |
公开(公告)号: | CN205564774U | 公开(公告)日: | 2016-09-07 |
发明(设计)人: | 廖重期;童智圣;蔡惟鼎;邱彦凱;林纲正;黄桂武 | 申请(专利权)人: | 昱晶能源科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/042 | 分类号: | H01L31/042 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 中国台湾苗栗县竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型提供一种光伏装置,包含光电转换结构、钝化层以及至少一第一导电总线。钝化层是设置于光电转换结构,且钝化层包含至少一开口。第一导电总线是设置于钝化层,且第一导电总线是贯穿钝化层的开口而电性连接光电转换结构。第一导电总线的宽度是小于光电转换结构的一主要元素的扩散距离。如此一来,主要元素于第一导电总线的宽度方向的浓度会迅速达到饱和而转向,因而增加主要元素于第一导电总线与光电转换结构的交界处的浓度,借此形成一较佳的电场作用,故降低电子与空穴的复合机率,从而提高光伏装置的开路电压。 | ||
搜索关键词: | 装置 | ||
【主权项】:
一种光伏装置,其特征在于,包含:一光电转换结构;一钝化层,设置于该光电转换结构,该钝化层包含至少一开口;以及至少一第一导电总线,设置于该钝化层,该第一导电总线贯穿该开口而电性连接该光电转换结构,且该第一导电总线的宽度是小于该光电转换结构的一主要元素的一扩散距离。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于昱晶能源科技股份有限公司,未经昱晶能源科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201620328157.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种钝化接触N型晶体硅电池及其组件和系统
- 下一篇:双玻透光组件
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的