[实用新型]一种多层纳米复合相变薄膜

摘要

本实用新型公开一种多层纳米复合相变薄膜，该薄膜由单层Sn₂Se₃薄膜和单层Sb薄膜交替排列，将一层Sn₂Se₃薄膜和一层Sb薄膜作为一个交替周期，后一个交替周期的Sn₂Se₃层沉积在前一个交替周期的Sb层的上方；该薄膜的膜结构通式为[Sn₂Se₃(a)/Sb(b)]_x，其中a、b分别表示所述单层Sn₂Se₃薄膜、单层Sb薄膜的厚度，1nm≤a≤50nm，1nm≤b≤50nm，x表示单层Sn₂Se₃和单层Sb薄膜的交替周期数或者交替层数，且x为正整数。该相变薄膜利用Sb作为结晶诱导层，可以加快相变材料的相变速度，同时结合了Sn₂Se₃熔点低、热稳定性好的优点；再次，利用多层纳米复合结构中多层界面的夹持效应，可以减小晶粒尺寸，从而缩短结晶时间，抑制晶化，在提高热稳定性的同时加快相变速度。

主权项

一种多层纳米复合相变薄膜，其特征在于：该薄膜由单层Sn₂Se₃薄膜和单层Sb薄膜交替排列，将一层Sn₂Se₃薄膜和一层Sb薄膜作为一个交替周期，后一个交替周期的Sn₂Se₃层沉积在前一个交替周期的Sb层的上方。