[实用新型]一种基于MOSFET的整流电路有效
| 申请号： | 201620297381.9 | 申请日： | 2016-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN205509880U | 公开（公告）日： | 2016-08-24 |
| 发明（设计）人： | 张奇豪 | 申请（专利权）人： | 张奇豪 |
| 主分类号： | H02M7/217 | 分类号： | H02M7/217 |
| 代理公司： | 北京华仲龙腾专利代理事务所(普通合伙) 11548 | 代理人： | 姜庆梅 |
| 地址： | 312000 浙江省绍*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种基于MOSFET的整流电路，包括变压器T1、变压器T2、三极管Q1、电阻R1、MOS管Q4和电容C1，变压器T1初级侧为交流输入端，变压器T1次级线圈一端分别连接输出端Vo和电容C3，电容C3另一端分别连接电阻R2、电容C1和MOS管Q4的S极并接地，电阻R2另一端连接电容C2，电容C2另一端分别连接变压器T2初级线圈和MOS管Q4的D极。本实用新型基于MOSFET的整流电路实质为一种同步整流电路，采用MOS管进行开关控制，达到了整流的效果，能偶取代传统的整流二极管以降低整流损耗，适用范围广。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 mosfet 整流 电路 | ||
【主权项】：
一种基于MOSFET的整流电路，包括变压器T1、变压器T2、三极管Q1、电阻R1、MOS管Q4和电容C1，其特征在于，变压器T1初级侧为交流输入端，变压器T1次级线圈一端分别连接输出端Vo和电容C3，电容C3另一端分别连接电阻R2、电容C1和MOS管Q4的S极并接地，电阻R2另一端连接电容C2，电容C2另一端分别连接变压器T2初级线圈和MOS管Q4的D极，变压器T2初级线圈另一端连接变压器T1次级线圈另一端，变压器T2次级线圈一端连接三极管Q1基极，三极管Q1集电极分别连接三极管Q2集电极和电源VCC，三极管Q1发射极分别连接接地电阻R1、变压器T2次级线圈另一端、三极管Q2基极和三极管Q3基极，三极管Q2发射极分别连接三极管Q3发射极、电容C1另一端和MOS管Q4的G极，三极管Q3集电极接地。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于张奇豪，未经张奇豪许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201620297381.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
