[实用新型]一种无需置位/复位装置的各向异性磁电阻AMR传感器有效
| 申请号： | 201620279414.7 | 申请日： | 2016-04-06 |
| 公开（公告）号： | CN205809273U | 公开（公告）日： | 2016-12-14 |
| 发明（设计）人： | 薛松生;雷啸锋;沈卫锋;丰立贤 | 申请（专利权）人： | 江苏多维科技有限公司 |
| 主分类号： | G01R33/09 | 分类号： | G01R33/09 |
| 代理公司： | 广州三环专利代理有限公司44202 | 代理人： | 郝传鑫 |
| 地址： | 215634 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种无需置位/复位装置的各向异性磁电阻AMR传感器，所述传感器包括基片、交换偏置层、AMR磁阻层和巴贝电极，所述交换偏置层沉积于基片上，所述AMR磁阻层沉积于交换偏置层上，所述AMR磁阻层由多组AMR磁阻条组成，每组AMR磁阻条由多个AMR磁阻条组成，所述巴贝电极按一定规律排布在每个AMR磁阻条上。本实用新型利用交换偏置层进行耦合，无需复位/置位线圈，由于取消了线圈，使得芯片的功耗大幅度降低，制造工艺更加简单，随之提高了产品的良率，降低了生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 无需 复位 装置 各向异性 磁电 amr 传感器 | ||
【主权项】：
一种无需置位/复位装置的各向异性磁电阻AMR传感器，其特征在于，所述传感器包括基片、交换偏置层、AMR磁阻层和巴贝电极，所述交换偏置层沉积于基片上，所述AMR磁阻层沉积于交换偏置层上，所述AMR磁阻层由多组AMR磁阻条组成，每组AMR磁阻条由多个AMR磁阻条组成，所述巴贝电极规律排布在每个AMR磁阻条上。
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