[实用新型]一种垂直紫外LED芯片

摘要

本实用新型一种垂直紫外LED芯片，涉及至少有一个电位跃变势垒的专门适用于光发射的半导体器件，包括N型外延层、多量子阱、P型外延层、Ni/Ag金属电流扩展层、DBR层、P电极塞、键合金属Cr层a、键合金属Au层a、键合金属Au层b、键合金属Cr层b、硅片和N电极；本实用新型采用金属电流扩展层Ni/Ag加上DBR代替现有技术中的垂直紫外LED芯片的金属反射层，克服了现有技术中金属反射层对光线的吸收，提高了垂直紫外LED芯片的发光亮度。

主权项

一种垂直紫外LED芯片，其特征在于：包括N型外延层、多量子阱、P型外延层、Ni/Ag金属电流扩展层、DBR层、P电极塞、键合金属Cr层a、键合金属Au层a、键合金属Au层b、键合金属Cr层b、硅片和N电极；上述各层紧接的顺序是：N型外延层紧接多量子阱层，多量子阱层紧接P型外延层，P型外延层紧接Ni/Ag金属电流扩展层，Ni/Ag金属电流扩展层紧接DBR层，DBR层紧接键合金属Cr层a，键合金属Cr层a紧接键合金属Au层a，键合金属Au层a紧接键合金属Au层b，键合金属Au层b紧接键合金属Cr层b，键合金属Cr层b紧接硅片，P电极塞制备在Ni/Ag金属电流扩展层上又嵌入在DBR层中，并且P电极塞的厚度和DBR层的厚度相同，N电极则紧接N型外延层上面中部。