[实用新型]一种高电压集成电路中的大电流输出的过流保护装置

摘要

一种高电压集成电路中的大电流输出的过流保护装置，其线路结构包括PMOS管T1、T2、T3、T4，NMOS管T5，PMOS管T4输出电流，PMOS管T3和T4形成的一电流镜，PMOS管T1和T2构成另一电流镜，电阻R2上的电流来自PMOS管T3与PMOS管T4的电流成正比，电阻R2上的电压控制NMOS管T5的启闭，当PMOS管T4的电流达过流点时NMOS管T5导通，使PMOS管T1和T2导通，使PMOS管T3和T4的控制电压上升，使PMOS管T4输出电流降低实现过流保护。本装置的电路形式简单可靠，使用的额外器件少仅需两个外接电阻，并易于在大电流输出的高电压集成电路中实现，同时也适合在中低电压集成电路或其他相关的电子线路中应用。

主权项

一种高电压集成电路中的大电流输出的过流保护装置，包括PMOS管T1、T2、T3、T4，NMOS管T5，其特征是，PMOS管T4的漏极与输出端VOUT连接，PMOS管T4的源极与电源电压VDD连接，PMOS管T4的栅极与控制端ENA连接，PMOS管T3的源极与电源电压VDD连接；PMOS管T3的栅极与控制端ENA连接，PMOS管T3的漏极通过两个串联的电阻R2、R1连接到输出端VOUT；电阻R2与NMOS管T5的栅极和源极相并联，NMOS管T5的源极与电阻R1和电阻R2之间的节点连接，NMOS管T5的栅极与PMOS管T3的漏极连接，NMOS管T5的漏极与PMOS管T2的栅极、漏极相连接，PMOS管T2的源极与电源电压VDD连接，PMOS管T2的源极与其漏极连接，并与PMOS管T1的源极相连接；PMOS管T1的栅极与PMOS管T2的栅极、漏极相连接，PMOS管T1的源极与电源电压VDD相连接，PMOS管T1的漏极与控制端ENA相连接。