[实用新型]一种高电压集成电路中的大电流输出的过流保护装置有效
申请号: | 201620244612.X | 申请日: | 2016-03-28 |
公开(公告)号: | CN205490123U | 公开(公告)日: | 2016-08-17 |
发明(设计)人: | 唐伟;李曙生;周国付 | 申请(专利权)人: | 泰州亚芯微电子科技有限公司 |
主分类号: | H02M1/32 | 分类号: | H02M1/32 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 225300 江苏省泰州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 一种高电压集成电路中的大电流输出的过流保护装置,其线路结构包括PMOS管T1、T2、T3、T4,NMOS管T5,PMOS管T4输出电流,PMOS管T3和T4形成的一电流镜,PMOS管T1和T2构成另一电流镜,电阻R2上的电流来自PMOS管T3与PMOS管T4的电流成正比,电阻R2上的电压控制NMOS管T5的启闭,当PMOS管T4的电流达过流点时NMOS管T5导通,使PMOS管T1和T2导通,使PMOS管T3和T4的控制电压上升,使PMOS管T4输出电流降低实现过流保护。本装置的电路形式简单可靠,使用的额外器件少仅需两个外接电阻,并易于在大电流输出的高电压集成电路中实现,同时也适合在中低电压集成电路或其他相关的电子线路中应用。 | ||
搜索关键词: | 一种 电压 集成电路 中的 电流 输出 保护装置 | ||
【主权项】:
一种高电压集成电路中的大电流输出的过流保护装置,包括PMOS管T1、T2、T3、T4,NMOS管T5,其特征是,PMOS管T4的漏极与输出端VOUT连接,PMOS管T4的源极与电源电压VDD连接,PMOS管T4的栅极与控制端ENA连接,PMOS管T3的源极与电源电压VDD连接;PMOS管T3的栅极与控制端ENA连接,PMOS管T3的漏极通过两个串联的电阻R2、R1连接到输出端VOUT;电阻R2与NMOS管T5的栅极和源极相并联,NMOS管T5的源极与电阻R1和电阻R2之间的节点连接,NMOS管T5的栅极与PMOS管T3的漏极连接,NMOS管T5的漏极与PMOS管T2的栅极、漏极相连接,PMOS管T2的源极与电源电压VDD连接,PMOS管T2的源极与其漏极连接,并与PMOS管T1的源极相连接;PMOS管T1的栅极与PMOS管T2的栅极、漏极相连接,PMOS管T1的源极与电源电压VDD相连接,PMOS管T1的漏极与控制端ENA相连接。
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H02 发电、变电或配电
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备;直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换;以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路,例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备,例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备;直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换;以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
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