[实用新型]一种高电压集成电路中的大电流输出的过流保护装置有效

专利信息
申请号: 201620244612.X 申请日: 2016-03-28
公开(公告)号: CN205490123U 公开(公告)日: 2016-08-17
发明(设计)人: 唐伟;李曙生;周国付 申请(专利权)人: 泰州亚芯微电子科技有限公司
主分类号: H02M1/32 分类号: H02M1/32
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 225300 江苏省泰州*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 一种高电压集成电路中的大电流输出的过流保护装置,其线路结构包括PMOS管T1、T2、T3、T4,NMOS管T5,PMOS管T4输出电流,PMOS管T3和T4形成的一电流镜,PMOS管T1和T2构成另一电流镜,电阻R2上的电流来自PMOS管T3与PMOS管T4的电流成正比,电阻R2上的电压控制NMOS管T5的启闭,当PMOS管T4的电流达过流点时NMOS管T5导通,使PMOS管T1和T2导通,使PMOS管T3和T4的控制电压上升,使PMOS管T4输出电流降低实现过流保护。本装置的电路形式简单可靠,使用的额外器件少仅需两个外接电阻,并易于在大电流输出的高电压集成电路中实现,同时也适合在中低电压集成电路或其他相关的电子线路中应用。
搜索关键词: 一种 电压 集成电路 中的 电流 输出 保护装置
【主权项】:
一种高电压集成电路中的大电流输出的过流保护装置,包括PMOS管T1、T2、T3、T4,NMOS管T5,其特征是,PMOS管T4的漏极与输出端VOUT连接,PMOS管T4的源极与电源电压VDD连接,PMOS管T4的栅极与控制端ENA连接,PMOS管T3的源极与电源电压VDD连接;PMOS管T3的栅极与控制端ENA连接,PMOS管T3的漏极通过两个串联的电阻R2、R1连接到输出端VOUT;电阻R2与NMOS管T5的栅极和源极相并联,NMOS管T5的源极与电阻R1和电阻R2之间的节点连接,NMOS管T5的栅极与PMOS管T3的漏极连接,NMOS管T5的漏极与PMOS管T2的栅极、漏极相连接,PMOS管T2的源极与电源电压VDD连接,PMOS管T2的源极与其漏极连接,并与PMOS管T1的源极相连接;PMOS管T1的栅极与PMOS管T2的栅极、漏极相连接,PMOS管T1的源极与电源电压VDD相连接,PMOS管T1的漏极与控制端ENA相连接。
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