[实用新型]一种大功率量子阱半导体激光器外延片结构有效
| 申请号： | 201620227320.5 | 申请日： | 2016-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN205622044U | 公开（公告）日： | 2016-10-05 |
| 发明（设计）人： | 潘旭;张露;吴波;张小宾;杨翠柏 | 申请（专利权）人： | 中山德华芯片技术有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/343 | 分类号： | H01S5/343 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 梁莹 |
| 地址： | 528437 广东省中山*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种大功率量子阱半导体激光器外延片结构，包括有n‑GaAs衬底，在n‑GaAs衬底上由下至上依次外延生长n‑GaAs缓冲层、n‑AlxGa1‑xAs组分渐变层、n‑AlxGa1‑xAs下限制层、AlxGa1‑xAs下波导层、AlxGa1‑xAs下势垒层、量子阱有源层、AlxGa1‑xAs上势垒层、AlxGa1‑xAs上波导层、p‑AlxGa1‑xAs上限制层、p‑AlxGa1‑xAs组分渐变层、p‑GaAs顶层；AlxGa1‑xAs上波导层的厚度小于AlxGa1‑xAs下波导层的厚度，量子阱有源层中包含一个AlxGa1‑xAs双势垒阻挡层，p‑AlxGa1‑xAs上限制层、p‑AlxGa1‑xAs组分渐变层、p‑GaAs顶层中的掺杂剂为四溴化碳或者四氯化碳。本实用新型可以降低激光器激射波长线宽，减少电子散失，提高有源区内电子与空穴的辐射复合效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 大功率 量子 半导体激光器 外延 结构 | ||
【主权项】：
一种大功率量子阱半导体激光器外延片结构，其特征在于：包括有n‑GaAs衬底，在所述n‑GaAs衬底上由下至上依次外延生长n‑GaAs缓冲层、n‑AlxGa1‑xAs组分渐变层、n‑AlxGa1‑xAs下限制层、AlxGa1‑xAs下波导层、AlxGa1‑xAs下势垒层、量子阱有源层、AlxGa1‑xAs上势垒层、AlxGa1‑xAs上波导层、p‑AlxGa1‑xAs上限制层、p‑AlxGa1‑xAs组分渐变层、p‑GaAs顶层；所述AlxGa1‑xAs上波导层的厚度小于所述AlxGa1‑xAs下波导层的厚度，所述量子阱有源层中包含一个AlxGa1‑xAs双势垒阻挡层。
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