[实用新型]一种力/磁多功能传感器

摘要

本实用新型公开了一种力/磁多功能传感器，该传感器包括用来检测外加磁场的第一悬臂梁1，和用来检测外加力的第二悬臂梁2，并由第一薄膜晶体管TFT1沟道等效电阻R₁、第二薄膜晶体管TFT2沟道等效电阻R₂、第三薄膜晶体管TFT3沟道等效电阻R₃和第四薄膜晶体管TFT4沟道等效电阻R₄构成第一惠斯通电桥，实现了磁场的检测；第五薄膜晶体管TFT1′沟道等效电阻R₁′、第六薄膜晶体管TFT2′沟道等效电阻R₂′、第七薄膜晶体管TFT3′沟道等效电阻R₃′和第八薄膜晶体管TFT4′沟道等效电阻R₄′构成第二惠斯通电桥，实现了力的检测；本实用新型提供的力/磁多功能传感器体积小，成本低，准确度高，稳定性好。

主权项

一种力/磁多功能传感器，该传感器包括：用来检测外加磁场的第一悬臂梁(1)，和用来检测外加力的第二悬臂梁(2)，所述第一悬臂梁(1)为硅悬臂梁，包括四个薄膜晶体管，为第一薄膜晶体管TFT1、第二薄膜晶体管TFT2、第三薄膜晶体管TFT3和第四薄膜晶体管TFT4，其顶端为自由端，制作为磁性材料(3)；和所述第二悬臂梁(2)为硅悬臂梁，包括四个薄膜晶体管，第五薄膜晶体管TFT1′、第六薄膜晶体管TFT2′、第七薄膜晶体管TFT3′和第八薄膜晶体管TFT4′，其顶端为自由端，制作集成化硅质量块(4)。