[实用新型]一种广谱成像探测芯片有效
| 申请号: | 201620197159.1 | 申请日: | 2016-03-15 |
| 公开(公告)号: | CN205621733U | 公开(公告)日: | 2016-10-05 |
| 发明(设计)人: | 张新宇;信钊炜;魏东;张波;吴勇;袁莹;彭莎;王海卫;谢长生 | 申请(专利权)人: | 华中科技大学 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;G01J5/20 |
| 代理公司: | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人: | 廖盈春 |
| 地址: | 430074 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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| 摘要: | 本实用新型公开了一种广谱成像探测芯片。包括热辐射结构和光敏阵列。广谱入射光波进入热辐射结构后,在纳米尖表面激励产生等离激元,驱动图形化金属膜中的自由电子向纳米尖产生振荡性集聚,纳米尖收集的自由电子与等离激元驱控下涌入的自由电子相叠合,产生压缩性脉动,使电子急剧升温并向周围空域发射主要成分为可见光的热电磁辐射,光敏阵列将热电磁辐射转换为电信号,经预处理后得到电子图像数据并输出。本实用新型能将广谱入射光波基于压缩在纳空间中的高温电子运动实现二次可见光辐射进而执行光电转换与成图操作,具有波谱适用范围宽、光电灵敏度高、光电响应快以及成本相对低廉的特点。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 广谱 成像 探测 芯片 | ||
【主权项】:
一种广谱成像探测芯片,其特征在于,包括热辐射结构和光敏阵列;所述热辐射结构包括图形化金属膜,所述图形化金属膜为纳米级厚度,其上设有m×n元阵列分布的纳米孔,将所述热辐射结构划分为m×n元阵列分布的热辐射单元,所述纳米孔与所述热辐射单元一一对应,其中,m、n均为大于1的整数;每个所述纳米孔形成至少一个具有尖锐角结构的纳米尖,所述光敏阵列的每个光敏单元与多个纳米孔匹配耦合;广谱入射光波进入所述热辐射结构后,在所述纳米尖表面激励产生等离激元,驱动所述图形化金属膜中的自由电子向所述纳米尖产生振荡性集聚,所述纳米尖收集的自由电子与等离激元驱控下涌入的自由电子相叠合,产生压缩性脉动,使电子急剧升温并向周围空域发射主要成分为可见光的热电磁辐射,所述光敏阵列将热电磁辐射转换为电信号,经预处理后得到电子图像数据并输出。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





