[实用新型]耦接至工艺腔室的等离子体源

摘要

提供了一种耦接至工艺腔室的等离子体源，所述等离子体源包括沿第一轴从第一端延伸到第二端的核芯元件。耦接至工艺腔室的等离子体源进一步包括围绕核芯元件的相应的一个或多个第一部分而设置的一个或多个线圈。耦接至工艺腔室的等离子体源进一步包括具有一个或多个内壁的等离子体块，所述一个或多个内壁至少部分地包围环形等离子体生成容积，所述环形等离子体生成容积围绕核芯元件的第二部分而设置。环形等离子体生成容积包括第一区域，所述第一区域关于多个垂直轴对称，所述多个垂直轴垂直于定位在第一轴上的第一点，所述第一区域具有在平行于所述第一轴的方向上的宽度以及在垂直于所述第一轴的方向上的深度。第一区域具有至少比第一区域的深度大三倍的宽度。

主权项

一种耦接至工艺腔室的等离子体源，所述等离子体源包含：核芯元件，沿第一轴从第一端延伸至第二端；一个或多个线圈，围绕所述核芯元件的相应的一个或多个第一部分而设置；以及等离子体块，具有一个或多个内壁，所述一个或多个内壁至少部分地包围环形等离子体生成容积，所述环形等离子体生成容积围绕所述核芯元件的第二部分而设置，所述环形等离子体生成容积包含：第一区域，所述第一区域关于多个垂直轴对称，所述多个垂直轴在沿所述第一轴而定位的第一点处垂直于所述第一轴，所述第一区域具有：在平行于所述第一轴的方向上的宽度以及在垂直于所述第一轴的方向上的深度，其中所述第一区域的所述宽度随着距定位在所述第一轴上的所述第一点的所述深度增加而增加；中心点，位于所述垂直轴中的一个垂直轴与内壁的交叉点处，其中所述中心点距定位在所述第一轴上的所述第一点第一深度；在所述内壁中的一个或多个内壁上的第一位置与第二位置之间的第一宽度，其中所述第一宽度平行于所述第一轴，并且所述第一宽度距定位在所述第一轴上的所述第一点第二深度；以及横跨所述第二深度与所述第一深度之间的距离的第三深度，其中所述第一宽度至少比所述第三深度大三倍。