[实用新型]SONOS结构EEPROM及其存储器阵列、以及SONOS器件有效
| 申请号： | 201620159193.X | 申请日： | 2016-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN205656859U | 公开（公告）日： | 2016-10-19 |
| 发明（设计）人： | 胡小波;罗雄才;王茂菊 | 申请（专利权）人： | 深圳市芯飞凌半导体有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/08 | 分类号： | G11C16/08;G11C16/24;H01L27/115 |
| 代理公司： | 深圳市瑞方达知识产权事务所(普通合伙) 44314 | 代理人： | 林俭良;纪媛媛 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及SONOS结构EEPROM的存储器阵列、SONOS结构EEPROM、以及SONOS器件。其中存储器阵列包括多个字节存储单元，其中每个字节存储单元包括8个比特存储单元；每一个所述比特存储单元包括用于分别存储两个相反信息之一的第一存储子单元和第二存储子单元；且所述第一存储子单元和第二存储子单元相邻布置、且结构和尺寸相同；所述第一存储子单元和第二存储子单元分别连接于各自的位线。实施本实用新型，可以使用很小尺寸的SONOS工艺存储单元(一般不到普通浮栅结构EEPROM存储单元的1/5)、有效节省芯片面积；可以缩短擦/写所需时间，在编程时间上接近浮栅结构EEPROM。从而，在性能基本接近浮栅型EEPROM的前提下，芯片面积和成本能得到大幅度的降低。 | ||
| 搜索关键词： | sonos 结构 eeprom 及其 存储器 阵列 以及 器件 | ||
【主权项】：
一种SONOS结构EEPROM的存储器阵列，包括多个字节存储单元(10)，其中每个字节存储单元(10)包括8个比特存储单元(10i)；其特征在于，每一个所述比特存储单元(10i)包括用于分别存储两个相反信息之一的第一存储子单元(10i_a)和第二存储子单元(10i_b)；且所述第一存储子单元(10i_a)和第二存储子单元(10i_b)相邻布置、且结构和尺寸相同；所述第一存储子单元(10i_a)和第二存储子单元(10i_b)分别连接于各自的位线(BLi_a、BLi_b)；其中，i＝0、1、2、3、4、5、6、7。
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