[实用新型]多孔硅发光器件有效
| 申请号： | 201620147583.5 | 申请日： | 2016-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN205752219U | 公开（公告）日： | 2016-11-30 |
| 发明（设计）人： | M·莫里利;F·F·R·托亚;G·巴里拉罗;M·萨姆比 | 申请（专利权）人： | 意法半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 意大利阿格*** | 国省代码： | 意大利;IT |
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| 摘要： | 本公开提供多孔硅发光器件，以获得令人满意的发光效能。发光器件(1)包括：半导体本体(2)，具有第一导电性类型，具有正侧面(2a)和背侧面(2b)；多孔硅区域(10)，其在半导体本体(2)中在正侧面(2a)处延伸；以及阴极区域(8)，与多孔硅区域(10)直接侧向接触。发光器件进一步包括电绝缘材料的势垒区域(12)，势垒区域(12)在阴极区域的底侧面处与阴极区域(8)直接接触地延伸，使得在使用中，电流排他地穿过阴极区域(8)的侧向部分在半导体本体中流动。通过本公开的实施例，获得了改善的发光效能。 | ||
| 搜索关键词： | 多孔 发光 器件 | ||
【主权项】：
一种发光器件(1)，其特征在于，包括：‑半导体本体(2)，具有第一导电性类型，具有正侧面(2a)和背侧面(2b)；‑多孔硅区域(10)，在所述半导体本体(2)中在所述正侧面(2a)处延伸；以及‑阴极区域(8)，具有第二导电性类型，具有面对所述正侧面(2a)的顶侧面、与所述顶侧面相对的底侧面、以及在所述顶侧面和所述底侧面之间延伸的侧向部分，其中所述阴极区域(8)的所述侧向部分与所述多孔硅区域(10)直接电接触，其特征在于，进一步包括电绝缘材料的势垒区域(12)，所述势垒区域在所述底侧面处与所述阴极区域(8)直接接触地延伸，使得在使用中，电流排他地穿过所述阴极区域(8)的所述侧向部分在所述半导体本体中流动。
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