[实用新型]一种单向低压TVS器件

摘要

本实用新型公开了一种单向低压TVS器件，包括N型硅片，N型硅片中设有P₁掺杂区和P₂掺杂区，P₁掺杂区中设有N₁⁺掺杂区，P₂掺杂区中设有N₂⁺掺杂区，位于P₂掺杂区远离P₁掺杂区一侧的N型硅片中设有N₃⁺掺杂区；N型硅片的正面设有氧化层，氧化层的上表面设有上金属化电极和互连金属层；N型硅片的背面依次设有N⁺掺杂区和下金属化电极。本实用新型内置两个倒置的三极管，利用三极管集电极‑发射极击穿原理，通过设置合理的放大倍数达到击穿电压低、漏电低的目的，避免了传统TVS器件由于高浓度结在低击穿电压时齐纳击穿导致的高漏电问题，且制造方法简单易行，适应批量生产的要求。

主权项

一种单向低压TVS器件，其特征在于：包括N型硅片，所述N型硅片中设有P₁掺杂区和P₂掺杂区，所述P₁掺杂区中设有N₁⁺掺杂区，所述P₂掺杂区中设有N₂⁺掺杂区，位于所述P₂掺杂区远离P₁掺杂区一侧的N型硅片中设有N₃⁺掺杂区；所述N型硅片的正面设有氧化层，所述氧化层的上表面设有上金属化电极和互连金属层，所述上金属化电极通过贯穿氧化层的开孔与N₁⁺掺杂区和N₂⁺掺杂区的上表面连接，所述互连金属层通过贯穿氧化层的开孔与P₂掺杂区和N₃⁺掺杂区的上表面连接；所述N型硅片的背面设有N⁺掺杂区，所述N⁺掺杂区的背面设有下金属化电极。