[实用新型]用于MOS管的保护电路

摘要

一种结构简单且采用分立器件构成的能防止MOS管进入线性区工作的用于MOS管的保护电路。包括电源、负载和用于接通负载回路的MOS管，用于驱动MOS管工作的驱动电路为分立元件构成，其包括主MOS管，在所述驱动电路与电源VCC之间还设有检测该电源的电压并在其输出电压低于设定值后，能有效保护主MOS管的欠压保护电路。本实用新型结构简单，其采用几个分立元器件，既提高了产品性能，又可有效降低材料成本，效果明显，有较强的实用性。采用分立元件组成MOS管的驱动电路和欠压保护电路。可有效防止驱动电路中的MOS管进入线性区致MOS管效率低、耗能大和易损坏等不良后果。

主权项

一种用于MOS管的保护电路，包括电源、负载和用于接通负载回路的MOS管，其特征在于：用于驱动MOS管工作的驱动电路(2)为分立元件构成，其包括主MOS管M1，在所述驱动电路(2)与电源VCC之间还设有检测该电源的电压并在其输出电压低于设定值后，能有效保护主MOS管M1的欠压保护电路(1)；所述驱动电路(2)由三个三极管、所述的主MOS管M1和若干个电阻构成，其输出端与主MOS管M1的栅极相接，其输入端接单片机脉宽调制输入信号，其中，主MOS管M1为NMOS管，其漏极连接高电平VIN，源极通过R10接地，栅极与三极管Q3的发射极相接；三极管Q1的基极通过电阻R4接单片机脉宽调制输入信号，其发射极通过电阻R6接地，其集电极与三极管Q2的基极相接并经电阻R7、二极管D1接所述欠压保护电路；三极管Q2集电极与三极管Q3基极相接，三极管Q2的发射极通过所述二极管D1接所述欠压保护电路；在三极管Q3的基极与发射极之间跨接有由稳压二极管D3与电阻R8组成的串联电路，三极管Q3的集电极一路通过并接的电容C3、电容C4与所述二极管D1接于所述的欠压保护电路；所述欠压保护电路由型号为9014的三极管Q4、型号为Z2301的副MOS管M2、开启钮SW1和/或关闭钮SW2和分压电路构成，其间的连接结构如下：电源VCC输出端一路与副MOS管M2的源极相接，另一路通过电阻R1与所 述开启钮SW1的一端相接，所述开启钮SW1的另一端接于三极管Q4的基极并通过所述关闭钮SW2与地相接；副MOS管M2的漏极接于驱动电路中的二极管D1的正极，副MOS管M2的栅极与三极管Q4的集电极相接，在副MOS管M2的源极与其栅极之间跨接有第二电阻R2；三极管Q4的发射极与地相接；所述分压电路由电阻R3和电阻R11组成，电阻R11置于三极管Q4的基极与发射极之间，电阻R3置于三极管Q4基极与副MOS管M2的漏极之间。