[实用新型]一种基于氟化锂/聚乙烯醇交替薄膜的有机半导体器件薄膜封装结构有效

专利信息
申请号: 201620030854.9 申请日: 2016-01-08
公开(公告)号: CN205810864U 公开(公告)日: 2016-12-14
发明(设计)人: 彭应全;丁思晗;温占伟;吕文理;王颖 申请(专利权)人: 中国计量学院
主分类号: H01L51/40 分类号: H01L51/40
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 310018 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 本实用新型提供了一种基于氟化锂/聚乙烯醇交替薄膜的有机半导体器件薄膜封装结构,首先制备氟化锂缓冲层,然后依次制备聚乙烯醇/氟化锂交替封装薄膜。本专利薄膜封装结构主要具备以下特征:①氟化锂缓冲层(6)覆盖于有机光电子器件(5)之上,其尺度适当,以使待封装有机半导体器件的电极(2和4)露在外面,而有机半导体器件的有机半导体活性层(3)被完全封装在里面;②第一层聚乙烯醇封装层(701)覆盖于氟化锂缓冲层(6)之上,第一层氟化锂封装层(702)覆盖于第一层聚乙烯醇封装层(701)之上,氟化锂封装层和聚乙烯醇封装层不断交替重叠至第N层氟化锂封装层(NO2),N为大于等于1的整数。
搜索关键词: 一种 基于 氟化 聚乙烯醇 交替 薄膜 有机 半导体器件 封装 结构
【主权项】:
一种基于氟化锂/聚乙烯醇交替薄膜的有机半导体器件薄膜封装结构,其特征在于,包括氟化锂缓冲层和聚乙烯醇、氟化锂混合封装层;其中氟化锂缓冲层覆盖于有机光电子器件之上,第一聚乙烯醇封装层覆盖于氟化锂缓冲层之上,第一氟化锂封装层覆盖于第一聚乙烯醇封装层之上,氟化锂封装层和聚乙烯醇封装层不断交替重叠至第N氟化锂封装层,N为大于等于1的整数。
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