[发明专利]用于多晶体管串联射频开关的电压均匀化方法及射频开关在审
| 申请号： | 201611269013.4 | 申请日： | 2016-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN106656128A | 公开（公告）日： | 2017-05-10 |
| 发明（设计）人： | 白云芳;林升 | 申请（专利权）人： | 唯捷创芯(天津)电子技术股份有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/082 | 分类号： | H03K17/082;H03K17/56 |
| 代理公司： | 北京汲智翼成知识产权代理事务所(普通合伙)11381 | 代理人： | 陈曦,杜梁缘 |
| 地址： | 300457 天津市滨海*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于多晶体管串联射频开关的电压均匀化方法及射频开关。该电压均匀化方法中，在串联组成射频开关的各晶体管的源极和漏极之间分别增设电容作为寄生电容，通过调整各晶体管的寄生电容实现各晶体管的压降均匀性。本发明通过对第一金属层和第二金属层上的金属条的位置、尺寸和间距的不同组合，可以精细地调整各晶体管的源极和漏极之间的寄生电容，从而提升各晶体管的压降均匀性。利用本发明，可以使用更少的晶体管完成射频开关设计。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 多晶体 串联 射频 开关 电压 均匀 方法 | ||
【主权项】：
一种用于多晶体管串联射频开关的电压均匀化方法，其特征在于在串联组成射频开关的各晶体管的源极和漏极之间分别增设电容作为寄生电容，通过调整各晶体管的寄生电容实现各晶体管的压降均匀性。
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